[发明专利]背接触太阳能电池片及其制备方法和背接触太阳能电池在审
申请号: | 201510980464.8 | 申请日: | 2015-12-23 |
公开(公告)号: | CN106910782A | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
发明(设计)人: | 孙翔;姚云江 | 申请(专利权)人: | 比亚迪股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 北京英创嘉友知识产权代理事务所(普通合伙)11447 | 代理人: | 周建秋,王浩然 |
地址: | 518118 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 接触 太阳能电池 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,具体地,涉及一种背接触太阳能电池片及其制备方法和背接触太阳能电池。
背景技术
现有晶体硅太阳能电池的正反面各有2到3根银主栅线作为电池的正负极,这些主栅线不仅消耗大量的银浆,同时因为遮挡入射光造成了电池效率的下降。另外,电池的正负极分别分布在电池的上下表面,电池串联时,需要用焊带将电池片正面的电极与相邻电池片背面电极相焊联,焊接工艺繁琐,焊接材料使用较多,焊接时和后续层压工艺中容易造成电池片破损。
针对太阳能电池正面遮光损失,研究人员制作了EWT(发射极环绕背接触电池)、MWT(金属环绕背接触电池)、IBC(全背接触电池)等背接触电池。这些背接触电池正面完全没有栅线(EWT电池、IBC电池)或没有主栅线(MWT电池),减少了正面遮光面积,提高了太阳能电池功率。
但是,EWT(发射极环绕背接触电池)、MWT(金属环绕背接触电池)、IBC(全背接触电池)等背接触电池的制作工艺相当复杂,如MWT电池和EWT电池需要在硅片上进行激光打孔,并将电极或者发射区穿过孔制作到电池背面,难度大,成本高。而IBC电池对制作工艺要求极高,目前只有美国Sunpower公司实现了小规模量产。
另外,目前新技术采用的将电池片以瓦片式铺排方式制作组件的方法极其容易在焊接过程和后续的层压工艺中造成电池片的破碎损伤,层叠位置处的电池片无法参与发电,造成浪费,影响组件功率。
发明内容
本发明的目的是提供一种背接触太阳能电池片及其制备方法和背接触太阳能电池,该制备方法不仅简单易操作,制备的太阳能电池片受光面积大,而且太阳能电池节省材料,可以增加电池发电功率。
为了实现上述目的,本发明提供一种背接触太阳能电池片,其中,包括硅片、位于硅片受光面的受光栅线、位于硅片侧面的侧面连接件、位于硅片背光面的正电极和负电极;所述负电极与硅片的背光面绝缘,所述负电极与所述受光栅线通过侧面连接件电连接;所述正电极与硅片背光面间还设置有背电场,所述正电极与背电场电接触。
本发明还提供一种背接触太阳能电池片,其中,包括硅片、位于硅片受光面的受光栅线、位于硅片侧面的侧面连接件、位于硅片背光面的背电场及位于背电场表面的正电极和负电极;所述负电极与背电场绝缘,所述负电极与所述受光栅线通过侧面连接件电连接;所述正电极与背电场电接触。
优选地,所述正电极和负电极分别设置在所述硅片背光面的两端。
优选地,所述负电极包括多个,多个所述负电极间隔设置,多个所述负电极之间通过导电栅线导通;所述正电极包括多个,多个所述正电极间隔设置。
优选地,所述侧面连接件为导电栅线、导电层或导电片。
优选地,所述正电极为一个,所述负电极为一个,所述正电极和负电极为条形且相互平行;进一步优选地,所述一个正电极和一个负电极分别设置在所述硅片背光面的两端。
优选地,所述负电极与硅片背光面通过设置在负电极与硅片背光面间的背面绝缘件绝缘。
优选地,所述背面绝缘件与背电场相接以共同覆盖硅片背光面。
优选地,所述硅片的边缘设有第一绝缘件,所述侧面连接件通过第一绝 缘件与所述硅片的侧面及硅片的背光面绝缘。
优选地,第一绝缘件包覆在硅片的边缘,所述侧面连接件位于第一绝缘件的表面,所述侧面连接件通过第一绝缘件与所述硅片的侧面及硅片的背光面绝缘。
优选地,所述第一绝缘件的材料为石蜡和/或聚脂薄膜。
优选地,所述硅片的大小为20-60厘米×20-60厘米。
本发明还提供一种背接触太阳能电池片的制备方法,该方法包括:a、将形成受光栅线的浆料附着在硅片的受光面,得到受光栅线;将背电场浆料附着在所述硅片的背光面,得到背电场;将正电极浆料附着在所述背电场的表面,形成正电极;所述正电极与所述背电场电连接;b、将负电极浆料附着在所述硅片的背光面,形成负电极;其中,所述负电极与所述硅片的背光面绝缘;c、将侧面连接件形成于硅片的边缘并使其电连接负电极和受光栅线,得到背接触太阳能电池片。
本发明进一步提供一种背接触太阳能电池片的制备方法,该方法包括:α、将形成受光栅线的浆料附着在硅片的受光面,得到受光栅线;将背电场浆料附着在所述硅片的背光面,得到背电场;将正电极浆料附着在所述背电场的表面,形成正电极;所述正电极与所述背电场电连接;β、将负电极浆料附着在所述背电场的表面,形成负电极;所述负电极与所述背电场绝缘;γ、将侧面连接件形成于硅片的边缘并使其电连接负电极和受光栅线,得到背接触太阳能电池片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
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H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的