[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201510979655.2 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105609408B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 徐涛;王卉;陈宏;曹子贵 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/266 | 分类号： | H01L21/266;H01L21/311;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供晶圆；在所述晶圆上形成牺牲层；形成所述牺牲层之后，对所述晶圆进行离子注入以调节半导体器件的阈值电压；进行第一湿法清洗，以同时去除所述牺牲层，以及因所述离子注入形成在所述牺牲层中的颗粒。在本发明的技术方案中，通过在对晶圆进行离子注入之前在晶圆表面形成牺牲层，然后再对晶圆进行第一湿法清洗，使得经第一湿法清洗之后，牺牲层从晶圆表面剥离，在牺牲层剥离的同时带走形成在牺牲层中的颗粒，防止了晶圆表层形成流动图形缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供晶圆；在所述晶圆上形成牺牲层；形成所述牺牲层之后，对所述晶圆进行离子注入以调节半导体器件的阈值电压；进行第一湿法清洗，以同时去除所述牺牲层，以及因所述离子注入形成在所述牺牲层中的颗粒；进行所述第一湿法清洗之前，还包括：进行第二湿法清洗，以去除因所述离子注入形成在所述牺牲层表面的聚合物以及所述牺牲层中的所述颗粒；所述第二湿法清洗包括：利用硫酸和双氧水的混合溶液进行第一步清洗，以去除所述聚合物；所述第一步清洗之后，利用双氧水、氨水和去离子水的混合溶液进行第二步清洗，以去除所述颗粒；所述第二湿法清洗的步骤中，所述第一、二步清洗步骤是连续进行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510979655.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
