[发明专利]半导体器件的形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供晶圆；

在所述晶圆上形成牺牲层；

形成所述牺牲层之后，对所述晶圆进行离子注入以调节半导体器件的阈值电压；

进行第一湿法清洗，以同时去除所述牺牲层，以及因所述离子注入形成在所述牺牲层中的颗粒；

进行所述第一湿法清洗之前，还包括：进行第二湿法清洗，以去除因所述离子注入形成在所述牺牲层表面的聚合物以及所述牺牲层中的所述颗粒；

所述第二湿法清洗包括：

利用硫酸和双氧水的混合溶液进行第一步清洗，以去除所述聚合物；

所述第一步清洗之后，利用双氧水、氨水和去离子水的混合溶液进行第二步清洗，以去除所述颗粒；

所述第二湿法清洗的步骤中，所述第一、二步清洗步骤是连续进行。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料为氧化硅。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的形成方法为快速热氧化。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述快速热氧化的工艺参数包括：温度为800℃至1200℃，时间为3s至30s。

5.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述第一湿法清洗包括：利用氢氟酸溶液进行第一步清洗。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第一湿法清洗还包括：

所述第一步清洗之后，利用双氧水、氨水和去离子水的混合溶液进行第二步清洗，以去除所述晶圆表层的有机物颗粒。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第一湿法清洗还包括：

所述第二步清洗之后，利用双氧水、盐酸和去离子水的混合溶液进行第三步清洗，以去除所述晶圆表层的金属颗粒。

8.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述第一步清洗的步骤中，所述氢氟酸溶液为浓氢氟酸与水按照1：50至1：200的体积配比混合而成，清洗时间为20s至60s，温度为20℃至40℃。

9.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，所述第二步清洗的步骤中，所述双氧水、氨水、去离子水的体积比为1：2：10至1：2：60，清洗时间为200s至800s，温度为20℃至40℃。

10.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第三步清洗的步骤中，所述双氧水、盐酸、去离子水的体积比为1：1：20至1：1：70，清洗时间为200s至800s，温度为20℃至40℃。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一步清洗的步骤中，所述硫酸与双氧水的体积比为2：1至5：1，清洗时间为200s至800s，温度为20℃至40℃；

所述第二步清洗的步骤中，所述双氧水、氨水、去离子水的体积比为1：2：10至1：2：60，清洗时间为200s至800s，温度为20℃至40℃。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述离子注入包括先后依次进行的第一、二次离子注入，所述第一、二次离子注入的离子浓度相同，所述第一次离子注入的深度大于所述第二次离子注入的深度。

13.如权利要求1至12任一项所述的形成方法，其特征在于，所述半导体器件为闪存，所述第一湿法清洗之后，在所述晶圆表面形成氧化层。

14.如权利要求1至12任一项所述的形成方法，其特征在于，所述晶圆为具有外延层的硅片。