[发明专利]一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法有效

专利信息
申请号: 201510977322.6 申请日: 2015-12-23
公开(公告)号: CN106910681B 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 秦国刚;李磊;侯瑞祥;姚利;徐万劲 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L21/223 分类号: H01L21/223
代理公司: 11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司 代理人: 李稚婷
地址: 100871*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法,是在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体(ICP)处理,激励砷化镓中的金属原子发生扩散。该方法简单快捷,在室温环境下实现,不仅可用于改善砷化镓材料的性能,还可用于改善砷化镓器件的性能。
搜索关键词: 一种 室温 环境 激励 砷化镓中 金属 原子 扩散 方法
【主权项】:
1.一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法,其特征在于,在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体处理,激励砷化镓中的金属原子发生扩散。/n
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