[发明专利]一种室温环境下激励砷化镓中金属原子扩散的方法有效
| 申请号： | 201510977322.6 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN106910681B | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 秦国刚;李磊;侯瑞祥;姚利;徐万劲 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 11360 北京万象新悦知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 室温 环境 激励 砷化镓中 金属 原子 扩散 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种激励砷化镓中金属原子扩散的方法，其特征在于，在室温环境下对砷化镓材料或砷化镓器件进行电感耦合等离子体处理，激励砷化镓中的金属原子发生扩散。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进行电感耦合等离子体处理的载气为惰性气体，真空度至少为1E-2Pa。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，进行电感耦合等离子体处理的载气为氦气。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，电感耦合等离子体处理的功率为50～5000W。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，电感耦合等离子体处理的功率为100～1000W。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，电感耦合等离子体处理的功率为500～1000W。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，电感耦合等离子体处理的时间为30sec～30min。
8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，电感耦合等离子体处理的时间为1min～5min。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属原子包括过渡金属原子和非过渡金属原子。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述过渡金属原子包括下列元素中的一种或多种：Ti、Cr、Fe和Cu；所述非过渡金属原子包括下列元素中的一种或多种：Al、Ca、Mg和Li。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
