[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510976406.8 | 申请日： | 2015-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN105738001B | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | 有坂直也;南正隆;三木隆博 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件，其具有能在抑制占据面积增大的同时提高精度的传感器。半导体器件具有：第一计数器；以及第二计数器即时间测量电路，其测量直至通过计数具有对应于第一电压的频率的第一信号获得的计数值达到可通过第一计数器计数的最大计数值的时间。根据时间测量电路测量的时间，第一计数器基于通过计数具有对应于不同于第一电压的第二电压的频率的第二信号获得的计数值，获得对应于第一电压的数字信息。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n第一计数器；/n时间测量电路，所述时间测量电路对时间进行测量，直到通过对具有对应于第一电压的频率的第一信号进行计数获得的计数值达到能够由所述第一计数器计数的最大计数值；以及/n电压生成电路，所述电压生成电路生成所述第一电压和不同于所述第一电压的第二电压，/n其中所述第二电压的温度依赖性低于所述第一电压的温度依赖性，并且/n其中基于通过基于由所述时间测量电路测量的时间对具有对应于所述第二电压的频率的第二信号进行计数获得的计数值，所述第一计数器获得对应于所述第一电压的数字信息。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于瑞萨电子株式会社，未经瑞萨电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510976406.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
