[发明专利]具有晶体管单元和增强单元的半导体器件

摘要

提供了具有晶体管单元和增强单元的半导体器件。一种半导体器件包括晶体管单元（TC）和增强单元（EC）。每个晶体管单元（TC）包括与漂移结构（120）形成第一pn结（pn1）的本体区（115）。晶体管单元（TC）可以在第一控制信号（C1）超过第一阈值（Vthx）时在本体区（115）中形成反型沟道（115x）。反型沟道（115x）形成漂移结构（120）与第一负载电极（310）之间的连接的一部分。延迟单元（400）生成第二控制信号（C2），第二控制信号（C2）的后沿相对于第一控制信号（C1）的后沿延迟。增强单元（EC）在第二控制信号（C2）下降到低于比第一阈值（Vthx）低的第二阈值（Vthy）时在漂移结构（120）中形成反型层（120y）。反型层（120y）作为少数电荷载流子发射极起效。

主权项

1.一种半导体器件，包括：晶体管单元（TC），包括与漂移结构（120）形成第一pn结（pn1）的本体区（115），所述晶体管单元（TC）配置为在所述本体区（115）中形成反型沟道（115x），在第一控制信号（C1）超过第一阈值（Vthx）时，所述反型沟道（115x）形成所述漂移结构（120）与第一负载电极（310）之间的连接的一部分；延迟单元（400），配置为生成第二控制信号（C2），所述第二控制信号（C2）的后沿相对于所述第一控制信号（C1）的后沿延迟；以及增强单元（EC），配置为在所述第二控制信号（C2）下降到低于比所述第一阈值（Vthx）低的第二阈值（Vthy）时在所述漂移结构（120）中形成反型层（120y），其中所述反型层（120y）作为少数电荷载流子发射极起效。