[发明专利]具有晶体管单元和增强单元的半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

晶体管单元（TC），包括与漂移结构（120）形成第一pn结（pn1）的本体区（115），所述晶体管单元（TC）配置为在所述本体区（115）中形成反型沟道（115x），在第一控制信号（C1）超过第一阈值（Vthx）时，所述反型沟道（115x）形成所述漂移结构（120）与第一负载电极（310）之间的连接的一部分；

延迟单元（400），配置为生成第二控制信号（C2），所述第二控制信号（C2）的后沿相对于所述第一控制信号（C1）的后沿延迟；以及

增强单元（EC），配置为在所述第二控制信号（C2）下降到低于比所述第一阈值（Vthx）低的第二阈值（Vthy）时在所述漂移结构（120）中形成反型层（120y），其中所述反型层（120y）作为少数电荷载流子发射极起效。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中

所述增强单元（EC）包括与所述漂移结构（120）形成另外的第一pn结（pn1）的电荷载流子传送区（117）。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述电荷载流子传送区（117）直接邻接所述本体区（115）。

4.根据权利要求2所述的半导体器件，其中

所述电荷载流子传送区（117）与所述本体区（115）分开。

5.根据权利要求2至4中的任一项所述的半导体器件，其中

所述增强单元（EC）配置为在所述第二控制信号（C2）超过所述第一阈值（Vthx）时在所述电荷载流子传送区（117）中形成与所述第一负载电极（310）电断开的次级反型层（117y）。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中

所述增强单元（EC）包括沿着第二栅极结构（160）形成的并且与所述电荷载流子传送区（117）形成单极同质结并且中断所述次级反型层（117y）的重掺杂第二中断区（113）。

7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中

所述增强单元（EC）没有任何既与所述电荷载流子传送区（117）形成pn结又与所述第一负载电极（310）电连接的掺杂区。

8.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，其中

所述晶体管单元（TC）包括施加有所述第一控制信号（C1）的第一栅极结构（150），所述晶体管单元（TC）配置为在所述第一控制信号（C1）下降到低于所述第二阈值（Vthy）时在所述漂移结构（120）中形成另外的反型层（120x），并且所述另外的反型层（120x）的至少一部分与所述本体区（115）断开。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其中

所述晶体管单元（TC）包括沿着所述第一栅极结构（150）的重掺杂第一中断区（123），所述第一中断区（123）与所述漂移结构（120）形成单极同质结并且将所述另外的反型层（120x）的至少一部分与所述本体区（115）断开。

10.根据权利要求9所述的半导体器件，其中

所述第一栅极结构（150）包括第一栅极电极（155）以及将所述第一栅极电极（155）与所述本体区（115）和所述漂移结构（120）分开的第一栅极电介质（151），所述第一栅极电介质（151）包括具有增大的宽度的喙状部分（151c），所述喙状部分（151c）在所述第一控制信号（C1）的低电平（VL）处将所述另外的反型层（120x）的至少一部分与所述本体区（115）断开。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中

所述喙状部分（151c）自所述第一栅极结构（150）向外延伸。