[发明专利]一种低损耗温度稳定型高频介质陶瓷有效
| 申请号： | 201510974136.7 | 申请日： | 2015-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN105565799B | 公开（公告）日： | 2017-12-19 |
| 发明（设计）人： | 李玲霞;张帅;吕笑松;叶静;金雨馨 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | C04B35/453 | 分类号： | C04B35/453;C04B35/622 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所12201 | 代理人： | 张宏祥 |
| 地址： | 300072*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低损耗温度稳定型高频介质陶瓷，化学式为Bi2(Zn1‑xNix)2/3Nb4/3O7，x＝0.33～0.37。先将原料Bi2O3、ZnO、Nb2O5、NiO按化学式配料，再经球磨，烘干，过筛，获得颗粒均匀的粉料，再于750℃下煅烧6小时，合成主晶相；再于预烧后的粉料中外加聚乙烯醇，磨罐，烘干，过筛后，压制成坯体；坯体于925～975℃烧结，制成低损耗温度稳定型高频介质陶瓷。本发明的介电常数εr为95～103，介电损耗tanδ≤5×10‑4，电容量温度系数为‑7×10‑6/℃～7×10‑6/℃。本发明用于多层片式陶瓷电容器的制备，具有较低的烧结温度，大大降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 损耗 温度 稳定 高频 介质 陶瓷 | ||
【主权项】：
一种低损耗温度稳定型高频介质陶瓷，化学式为Bi2(Zn1‑xNix)2/3Nb4/3O7，x＝0.32～0.35；该低损耗温度稳定型高频介质陶瓷的制备方法，具有如下步骤：(1)将原料Bi2O3、ZnO、Nb2O5、NiO按Bi2(Zn1‑xNix)2/3Nb4/3O7，x＝0.32～0.35化学式称量配料；(2)将步骤(1)配制的粉料放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨6小时；球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干，过40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)颗粒均匀的粉料于750℃下煅烧6小时，合成主晶相；(4)在步骤(3)预烧后的粉料中外加质量百分比为0.75％的聚乙烯醇，放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨12小时，烘干后过80目筛，再用粉末压片机以4MPa的压力压制成坯体；(5)将步骤(4)成型后的坯体于925～975℃烧结，保温5小时，制成低损耗温度稳定型高频介质陶瓷。
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