[发明专利]一种相似器电路

摘要

本申请公开了一种相似器电路。该电路拓扑结构的下方是单只MOS管放大电路，上方是负载计算的同或逻辑电路，总共应用5只MOS管组成，其结构简单。该相似器主要依赖依据近零阈值NMOS管共栅放大的压控电流指数响应特性，可以较大地缩小MOS管的超大宽长比以及降低供电电压等级，从而用于处理识别人的皮层脑电信号。

主权项

1.一种相似器电路，其特征在于，包括：第一NOMS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管；所述第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第一PMOS管以及第二PMOS管均为大宽长比的近零阈值MOS管；其中，所述第一NMOS管的衬底与源极串联后与地短接相连，栅极与供电电压端相连；所述第一NMOS管的漏极、所述第二NMOS管的衬底和源极，所述第一PMOS管的漏极，以及所述第二PMOS管的衬底与源极中任意两个接线端均相连；所述第一PMOS管的衬底和源极串联后与供电电压端相连，所述第一PMOS管的栅极与所述第二NMOS管的栅极相连，且公共端作为第一信号输入端；第三NMOS管的衬底和源极串联后与所述第一信号输入端相连；所述第三NMOS管的栅极和所述第二PMOS管栅极相连，且公共端作为第二信号输入端，所述第二NMOS管的漏极与所述第二信号输入端相连；所述第三NMOS管的漏极与所述第二PMOS管的漏极相连，且公共端作为信号输出端。