[发明专利]提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SIHCL3/SICL4值的方法有效
| 申请号： | 201510969137.2 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105540592B | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 沈祖祥;王姗;冉耘瑞;陈建 | 申请（专利权）人： | 成都蜀菱科技发展有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/035 | 分类号： | C01B33/035 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司51226 | 代理人： | 柯海军,武森涛 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SIHCL3/SICL4值的方法揭示了在多晶硅生长、沉积表面温度、供料中氢气与三氯氢硅的配比、还原炉系统运行压力均已确定的条件下，供料量与多晶硅生长、沉积速率2.比，还原过程中多晶硅棒的直径将与供料量等比变化的规律，并指出，当氢气与三氯氢硅的摩尔比在3‑8的范围内变化时，提高H2/SiHCl3的摩尔配比，副产中三氯氢硅与四氯化硅量的比值将得到提高。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 多晶 沉积 速率 硅副产 sihcl sub sicl 方法 | ||
【主权项】：
提高多晶硅沉积速率及提高多晶硅副产SiHCl3/SiCl4值的方法，其特征在于，在多晶硅生长、沉积表面温度、供料的氢气与三氯氢硅的配比、还原炉系统运行压力均已确定的条件下，供料量与多晶硅生长、沉积速率成正比，还原过程中多晶硅棒的直径将与供料量等比变化；当氢气与三氯氢硅的摩尔比值在3‑8的范围内变化时，提高H2/SiHCl3的摩尔配比，副产中三氯氢硅与四氯化硅量的比值将按下式提高；τ＝(1+0.06)nτ0式中：τ0：原始副产中SiHCl3/SiCl4值τ：改变摩尔配比后的SiHCl3/SiCl4值n：较原始摩尔配比提高值，n＝1、2、3、4或5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于成都蜀菱科技发展有限公司，未经成都蜀菱科技发展有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510969137.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种生产氟化铯的方法
- 下一篇：一种制备石墨烯的新方法
