[发明专利]共腔双波长分布反馈激光器的制作方法有效
| 申请号： | 201510967950.6 | 申请日： | 2015-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN105406355B | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 邓秋芳;朱洪亮;许俊杰;梁松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/20;H01S5/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层；步骤3：在有源区层上制作上层光栅；步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷化铟盖层和重掺杂欧姆接触层；步骤5：按标准激光器管芯工艺完成后续制作。本发明相比现有技术的双模DFB激光器，其主要区别为光栅的制作方式，是在共腔有源区的下层和上层制作出两套不同周期的DFB光栅，从而达到同时输出两个DFB波长的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 光栅 共腔 下层 制作 分布反馈激光器 外延生长 上层 双波长 源区层 掺杂 标准激光器 磷化铟盖层 欧姆接触层 管芯工艺 覆盖层 磷化铟 重掺杂 波长 衬底 两套 双模 源区 制备 输出 | ||
【主权项】：
1.一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层，所述有源区层包含：一下分别限制层和依次生长在其上的多量子阱层和上分别限制层；下分别限制层和上分别限制层的材料为与掺杂磷化铟衬底晶格匹配的四元铟镓砷磷或铟镓铝砷，厚度为50纳米至200纳米；多量子阱层的结构为铟镓砷磷/磷化铟或铟镓铝砷/磷化铟，阱的个数为3至6个，垒的个数为4至7个；有源区层的光荧光峰值波长为1.1微米至1.8微米；步骤3：在有源区层上制作上层光栅，所述的上层光栅为在有源区层上再连续生长不掺杂的磷化铟间隔层和四元铟镓砷磷层，在四元铟镓砷磷层上向下刻蚀，形成上层光栅；磷化铟间隔层为100纳米至200纳米，四元铟镓砷磷层为10纳米至80纳米，所述上、下层光栅的周期不同；步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷化铟盖层和重掺杂欧姆接触层；步骤5：按标准激光器管芯工艺完成后续制作。
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