[发明专利]共腔双波长分布反馈激光器的制作方法

权利要求书

1.一种共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，该方法包括如下步骤：

步骤1：在掺杂磷化铟衬底上制作下层光栅；

步骤2：在下层光栅上外延生长下光栅覆盖层和有源区层，所述有源区层包含：一下分别限制层和依次生长在其上的多量子阱层和上分别限制层；下分别限制层和上分别限制层的材料为与掺杂磷化铟衬底晶格匹配的四元铟镓砷磷或铟镓铝砷，厚度为50纳米至200纳米；多量子阱层的结构为铟镓砷磷/磷化铟或铟镓铝砷/磷化铟，阱的个数为3至6个，垒的个数为4至7个；有源区层的光荧光峰值波长为1.1微米至1.8微米；

步骤3：在有源区层上制作上层光栅，所述的上层光栅为在有源区层上再连续生长不掺杂的磷化铟间隔层和四元铟镓砷磷层，在四元铟镓砷磷层上向下刻蚀，形成上层光栅；磷化铟间隔层为100纳米至200纳米，四元铟镓砷磷层为10纳米至80纳米，所述上、下层光栅的周期不同；

步骤4：在上层光栅上外延生长掺杂磷化铟盖层和重掺杂欧姆接触层；

步骤5：按标准激光器管芯工艺完成后续制作。

2.根据权利要求1所述的共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，其中所述下层光栅为在掺杂磷化铟衬底上直接向下刻蚀，形成下层光栅。

3.根据权利要求1所述的共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，其中所述下层光栅为在掺杂磷化铟衬底上生长一层磷化铟缓冲层和四元铟镓砷磷层，在四元铟镓砷磷层上向下刻蚀，形成下层光栅；其中磷化铟缓冲层是指掺杂类型和掺杂浓度与衬底一致的磷化铟材料层，厚度为300纳米至2微米；四元铟镓砷磷层为带隙波长为1.1微米至1.4微米的不掺杂四元铟镓砷磷材料，厚度为10纳米至80纳米。

4.根据权利要求1所述的共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，其中所述下光栅覆盖层为不掺杂的四元铟镓砷磷层和磷化铟层；四元铟镓砷磷层的厚度为10纳米至80纳米，通过外延技术填充在下层光栅的凹区内；磷化铟层的厚度为100纳米至200纳米。

5.根据权利要求1所述的共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，其中所述的上层光栅为在有源区层上面直接向下刻蚀，形成上层光栅。

6.根据权利要求1所述的共腔双波长分布反馈激光器的制备方法，其中所述下层光栅和上层光栅，其起伏高度为10纳米至80纳米。