[发明专利]一种低电压透明氧化物薄膜晶体管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201510952139.0 申请日: 2015-12-18
公开(公告)号: CN105514172B 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 张新安;赵俊威;李爽;张伟风 申请(专利权)人: 河南大学
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/34
代理公司: 郑州睿信知识产权代理有限公司 41119 代理人: 牛爱周
地址: 475004*** 国省代码: 河南;41
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摘要: 发明公开了一种低电压透明氧化物薄膜晶体管及其制备方法,该薄膜晶体管包括:衬底,为ITO导电玻璃;所述ITO导电玻璃上层ITO导电膜为ITO栅电极;栅电极绝缘层,为透明ZrO2膜,位于所述ITO栅电极上;有源层,为透明氧化物膜,位于所述栅电极绝缘层上;源电极、漏电极,均为透明ITO膜,分别位于所述有源层上。该透明氧化物薄膜晶体管以高介电常数ZrO2膜为栅电极绝缘层,实现了薄膜晶体管的全透明性和低电压开启特性,具有较高的开关比、载流子迁移率,在平板显示、透明电子器件和柔性显示等领域具有广泛的应用前景;采用其作为像素开关,大大提高了有源矩阵的开口率,从而提高了亮度,降低了功耗。
搜索关键词: 透明氧化物薄膜 栅电极绝缘层 低电压 晶体管 薄膜晶体管 栅电极 源层 制备 透明电子器件 载流子迁移率 高介电常数 透明氧化物 平板显示 柔性显示 像素开关 透明 开关比 开口率 漏电极 源电极 源矩阵 衬底 功耗 上层 应用
【主权项】:
1.一种低电压透明氧化物薄膜晶体管,其特征在于:包括:衬底,为ITO导电玻璃;所述ITO导电玻璃上层ITO导电膜为ITO栅电极;栅电极绝缘层,为透明ZrO2膜,位于所述ITO栅电极上;有源层,为透明氧化物膜,位于所述栅电极绝缘层上;源电极、漏电极,均为透明ITO膜,分别位于所述有源层上;所述低电压透明氧化物薄膜晶体管由包括如下步骤的方法制得:1)采用溶胶凝胶法,将乙酰丙酮锆溶液在ITO导电玻璃上匀胶成膜,后退火,制得具有栅电极绝缘层的半成品A;2)采用磁控溅射法在所得半成品A的栅电极绝缘层上制备有源层,得半成品B:3)采用磁控溅射法在所得半成品B的有源层上制备源电极、漏电极,即得;步骤1)中,所述乙酰丙酮锆溶液中,乙酰丙酮锆的浓度为0.1~0.2mol/L,所用的溶剂为乙醇与乙醇胺的混合液;所述乙酰丙酮锆溶液中,乙醇与乙醇胺的体积比为1~2:1。
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