[发明专利]一种低电压透明氧化物薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种低电压透明氧化物薄膜晶体管，其特征在于：包括：

衬底，为ITO导电玻璃；所述ITO导电玻璃上层ITO导电膜为ITO栅电极；

栅电极绝缘层，为透明ZrO2膜，位于所述ITO栅电极上；

有源层，为透明氧化物膜，位于所述栅电极绝缘层上；

源电极、漏电极，均为透明ITO膜，分别位于所述有源层上；

所述低电压透明氧化物薄膜晶体管由包括如下步骤的方法制得：

1）采用溶胶凝胶法，将乙酰丙酮锆溶液在ITO导电玻璃上匀胶成膜，后退火，制得具有栅电极绝缘层的半成品A；

2）采用磁控溅射法在所得半成品A的栅电极绝缘层上制备有源层，得半成品B：

3）采用磁控溅射法在所得半成品B的有源层上制备源电极、漏电极，即得；

步骤1）中，所述乙酰丙酮锆溶液中，乙酰丙酮锆的浓度为0.1～0.2mol/L，所用的溶剂为乙醇与乙醇胺的混合液；所述乙酰丙酮锆溶液中，乙醇与乙醇胺的体积比为1～2:1。

2.根据权利要求1所述的低电压透明氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述透明氧化物膜为铟、钛或镓掺杂氧化锌透明导电氧化物膜；所述透明氧化物膜中，掺杂物的质量百分含量为1%～5%。

3.根据权利要求1或2所述的低电压透明氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述栅电极绝缘层的厚度为200～300nm。

4.根据权利要求1或2所述的低电压透明氧化物薄膜晶体管，其特征在于：所述有源层的厚度为80～120nm；所述源电极、漏电极的厚度为200～300nm。

5.一种如权利要求1所述的低电压透明氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：包括下列步骤：

1）采用溶胶凝胶法，将乙酰丙酮锆溶液在ITO导电玻璃上匀胶成膜，后退火，制得具有栅电极绝缘层的半成品A；

2）采用磁控溅射法在所得半成品A的栅电极绝缘层上制备有源层，得半成品B：

3）采用磁控溅射法在所得半成品B的有源层上制备源电极、漏电极，即得。

6.根据权利要求5所述的低电压透明氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤1）中，所述乙酰丙酮锆溶液中，乙酰丙酮锆的浓度为0.1～0.2mol/L，所用的溶剂为乙醇与乙醇胺的混合液。

7.根据权利要求6所述的低电压透明氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述乙酰丙酮锆溶液中，乙醇与乙醇胺的体积比为1～2:1。

8.根据权利要求5所述的低电压透明氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤1）中，匀胶成膜的匀胶条件为：低速600～800r/min保持3～5s后再高速4000～4200r/min保持40～45s。

9.根据权利要求5所述的低电压透明氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤1）中，所述退火的温度为240～260℃，保温时间为45～50min。

10.根据权利要求5所述的低电压透明氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤2）和3）中，磁控溅射法中，通入真空室的气体氧气与氩气的混合气体或氩气，磁控溅射的功率为80～120W。