[发明专利]一种高灵敏度霍尔元件的制备方法在审
| 申请号： | 201510948325.7 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105591026A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 胡双元;朱忻 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a）提供半导体衬底；b）采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c）在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d）采用腐蚀方法，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；e）霍尔元件功能层粘附于磁性基板上；f）制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化；g）霍尔元件表面粘附磁性芯片，进行封装。根据本发明，采用外延方法制备的霍尔元件功能层薄膜，性能远远好于传统工艺制备的霍尔元件；采用衬底剥离方法制备霍尔元件功能层，可大大降低生产成本；磁性基板和芯片，可以大大提高霍尔元件的灵敏度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 霍尔 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：a） 提供半导体衬底；b） 采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；c） 在牺牲层上制备霍尔元件功能层；d） 采用选择性腐蚀方法，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；e） 霍尔元件功能层粘附于磁性基板上；f） 制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化；g） 霍尔元件表面粘附磁性芯片，进行封装。
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