[发明专利]一种高灵敏度霍尔元件的制备方法在审
| 申请号： | 201510948325.7 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN105591026A | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 胡双元;朱忻 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/14 | 分类号： | H01L43/14 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215614 江苏省苏州市张家*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 灵敏度 霍尔 元件 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，包括以下步骤：
a）提供半导体衬底；
b）采用外延方法在半导体衬底上形成牺牲层；
c）在牺牲层上制备霍尔元件功能层；
d）采用选择性腐蚀方法，将半导体衬底与霍尔元件功能层分离；
e）霍尔元件功能层粘附于磁性基板上；
f）制备霍尔元件金属电极、台面刻蚀和钝化；
g）霍尔元件表面粘附磁性芯片，进行封装。
2.根据权利要求1所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述步骤d）中，霍尔元件功能层表面先粘附一层柔性薄膜，然后进行腐蚀剥离，提高剥离的成品率。
3.根据权利要求1所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，其特征在于，所述步骤e）中，磁性基板表面先形成一层绝缘层，然后再与霍尔元件功能层粘附。
4.根据权利要求1所述的一种高灵敏度霍尔元件的制备方法，其特征在于，腐蚀剥离后的半导体衬底，经过简单处理后，可重复用于外延生长。
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