[发明专利]薄膜晶体管及制备方法在审
| 申请号： | 201510946983.2 | 申请日： | 2015-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN105428240A | 公开（公告）日： | 2016-03-23 |
| 发明（设计）人： | 胡典禄;陈建荣;任思雨;苏君海;李建华 | 申请（专利权）人： | 信利（惠州）智能显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 516000 广东省惠州市仲*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管的制备方法，包括如下步骤：S110、在基板的表面依次形成缓冲层、非晶硅层及第一栅极绝缘层；S120、将所述非晶硅层转化为多晶硅层；S130、对所述第一栅极绝缘层及所述多晶硅层进行构图工艺，以形成多晶硅硅岛；S140、经所述第一栅极绝缘层对所述多晶硅层进行离子注入，形成沟道掺杂；S150、在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；S160、在所述第二栅极绝缘层上方形成栅极、层间绝缘层及源极和漏极。上述薄膜晶体管的制备方法，可以使多晶硅层与第一栅极绝缘层的接触界面紧密，有效避免外界环境或者后续工序对多晶硅层造成污染，而且可以使得到的薄膜晶体管沟道阈值电压不易漂移，电性能更稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S110、在基板的表面依次形成缓冲层、非晶硅层及第一栅极绝缘层；S120、将所述非晶硅层转化为多晶硅层；S130、对所述第一栅极绝缘层及所述多晶硅层进行构图工艺，以形成多晶硅硅岛；S140、经所述第一栅极绝缘层对所述多晶硅层进行离子注入，形成沟道掺杂；S150、在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；S160、在所述第二栅极绝缘层上方形成栅极、层间绝缘层及源极和漏极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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