[发明专利]薄膜晶体管及制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

S110、在基板的表面依次形成缓冲层、非晶硅层及第一栅极绝缘层；

S120、将所述非晶硅层转化为多晶硅层；

S130、对所述第一栅极绝缘层及所述多晶硅层进行构图工艺，以形成多晶硅硅岛；

S140、经所述第一栅极绝缘层对所述多晶硅层进行离子注入，形成沟道掺杂；

S150、在所述第一栅极绝缘层上形成第二栅极绝缘层；

S160、在所述第二栅极绝缘层上方形成栅极、层间绝缘层及源极和漏极。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S130采用如下步骤实现：

在所述第一栅极绝缘层的表面形成光刻胶层，通过掩膜板曝光，以形成图形化区域；

通过刻蚀工艺对所述第一栅极绝缘层及所述多晶硅层进行刻蚀，以形成多晶硅硅岛；

脱去所述光刻胶层。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一栅极绝缘层的厚度为40～100nm。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，采用等离子体化学气相沉积法在所述基板的表面形成所述缓冲层、所述非晶硅层及所述第一栅极绝缘层。

5.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，采用准分子激光退火的方法将所述非晶硅层转化为所述多晶硅层。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，步骤S160采用如下步骤实现：

在所述第二栅极绝缘层的上方形成栅极金属层，并通过构图工艺形成栅极；

以所述栅极作为掩膜，对所述多晶硅硅岛进行离子注入，形成源区及漏区；

在所述栅极上方形成层间绝缘层；

在所述第一栅极绝缘层、所述第二栅极绝缘层及所述层间绝缘层上形成过孔；

在所述过孔内形成源极和漏极，并使所述源极与所述源区连接，所述漏极与所述漏区连接。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一栅极绝缘层为氧化硅材料。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第二栅极绝缘层为氮化硅材料。

9.一种薄膜晶体管，其特征在于，其采用权利要求1～8中任一方法制备。