[发明专利]具有梯度注入区的半导体元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510946975.8 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN106898637B | 公开（公告）日： | 2019-10-08 |
| 发明（设计）人： | 詹景琳;林正基 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/739;H01L21/331 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有梯度注入区的半导体元件及其制造方法。该半导体元件包括具有第一导电型的基板、设置于基板中并具有第二导电型的高压阱、设置于高压阱中并具有第一导电型的源极阱、设置于高压阱中并与源极阱分隔的漂移区，以及设置于高压阱中并介于源极阱与漂移区之间且具有第二导电型的梯度注入区。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 梯度 注入 半导体 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：一基板，具有一第一导电型；一高压阱，具有一第二导电型，并设置于该基板中；一源极阱，具有该第一导电型，并设置于该高压阱中；一漂移区，设置于该高压阱中，并与该源极阱分隔；以及一梯度注入区，具有该第二导电型，设置于该高压阱中并接触该基板的主要表面，且介于该源极阱与该漂移区之间；其中，该梯度注入区包括位于该梯度注入区中的右侧并靠近该漂移区的第一部分，以及位于该梯度注入区中的左侧并靠近该源极阱的第二部分；该梯度注入区的掺杂浓度具有沿着平行于该基板的主要表面的水平方向上的梯度分布。
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