[发明专利]一种短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种SA-LIGBT。本发明的主要方案为，本发明中的N型阱区内部P+阳极区和N+阳极区，且P+阳极区和N+阳极区分别由多列沿器件横向方向相互平行的P+阳极子区和N+阳极子区构成，同时沿器件纵向方向均为分段式结构；同时，P+阳极区和N+阳极区下方接触有P型埋层。在器件正向导通初期处于单极模式时，P型埋层和P+阳极区形成电子阻挡层，它们可以阻碍从阴极发射过来的电子被N+阳极区收集，从而增大单极模式下P+阳极区和P型第一埋层与N型阱区或者N型高阻区构成的PN结的正向压降，使器件在较小的单极电流下就能进入双极模式，从而抑制snapback现象的出现。本发明的有益效果为，能有效抑制snapback现象，同时还能够提升器件的关态特性。

主权项

一种SA‑LIGBT，包括N型衬底(1)、位于N型衬底上表面的介质层(2)和位于介质层(2)上表面的N型漂移区(3)；所述N型漂移区(3)上层一端具有P型阱区(4)，其另一端具有N型阱区(5)，所述P型阱区(4)和N型阱区(5)之间有间距；所述P型阱区(4)上层具有P+体接触区(8)和N+阴极区(9)，所述P+体接触区(8)和N+阴极区(9)沿器件横向方向并列设置，且N+阴极区(9)位于靠近N型阱区(5)的一侧；所述N+阴极区(9)与N型漂移区(3)之间的P型阱区(4)的表面具有栅极结构；其特征在于，所述N型阱区(5)上层具有P+阳极区(10)和N+阳极区(11)，所述P+阳极区(10)和N+阳极区(11)沿器件横向方向并列；所述P+阳极区(10)包括X列沿器件横向方向相互平行的P+阳极子区，每一列P+阳极子区沿器件纵向方向均为分段式结构，每一列P+阳极子区中相邻两段P+阳极子区之间的间隙沿器件横向方向均与相邻列P+阳极子区的一个分段对应，且每个间隙沿器件纵向方向上的长度小于其对应P+阳极子区分段沿器件纵向方向上的长度；所述N+阳极区(11)包括Y列沿器件横向方向相互平行的N+阳极子区构成，每一列N+阳极子区沿器件纵向方向为分段式结构，每一列N+阳极子区沿器件横向方向均对应一列P+阳极子区并位于该P+阳极子区远离P型阱区(4)一侧；所述N型阱区(5)中具有P型第一埋层(7)，所述P型第一埋层(7)的上表面与P+阳极区(10)的下表面接触。