[发明专利]一种短路阳极横向绝缘栅双极型晶体管

权利要求书

1.一种SA-LIGBT，包括N型衬底(1)、位于N型衬底上表面的介质层(2)和位于介质 层(2)上表面的N型漂移区(3)；所述N型漂移区(3)上层一端具有P型阱区(4)，其另一 端具有N型阱区(5)，所述P型阱区(4)和N型阱区(5)之间有间距；所述P型阱区(4)上 层具有P+体接触区(8)和N+阴极区(9)，所述P+体接触区(8)和N+阴极区(9)沿器件横 向方向并列设置，且N+阴极区(9)位于靠近N型阱区(5)的一侧；所述N+阴极区(9)与N 型漂移区(3)之间的P型阱区(4)的表面具有栅极结构；其特征在于，所述N型阱区(5) 上层具有P+阳极区(10)和N+阳极区(11)，所述P+阳极区(10)和N+阳极区(11)沿器件 横向方向并列；所述P+阳极区(10)包括X列沿器件横向方向相互平行的P+阳极子区，每一 列P+阳极子区沿器件纵向方向均为分段式结构，每一列P+阳极子区中相邻两段P+阳极子区之 间的间隙沿器件横向方向均与相邻列P+阳极子区的一个分段对应，且每个间隙沿器件纵向方 向上的长度小于其对应P+阳极子区分段沿器件纵向方向上的长度；所述N+阳极区(11)包括 Y列沿器件横向方向相互平行的N+阳极子区构成，每一列N+阳极子区沿器件纵向方向为分段 式结构，每一列N+阳极子区沿器件横向方向均对应一列P+阳极子区并位于该P+阳极子区远离 P型阱区(4)一侧；所述N型阱区(5)中具有P型第一埋层(7)，所述P型第一埋层(7)的 上表面与P+阳极区(10)的下表面接触。

2.根据权利要1所述的一种SA-LIGBT，其特征在于，X≥2，Y<X。

3.根据权利要2所述的一种SA-LIGBT，其特征在于，所述P型阱区(4)中具有P型第二 埋层(6)，所述P型第二埋层(6)的上表面与P+体接触区(8)的下表面以及N+阴极区(9) 的下表面接触。

4.根据权利要2所述的一种SA-LIGBT，其特征在于，所述P型第一埋层(7)沿器件横向 方向的宽度大于P+阳极区(10)和N+阳极区(11)的宽度之和，且P型第一埋层(7)的侧边 与N型阱区(5)远离P型阱区(4)一侧的边界之间有间隙。

5.根据权利要3所述的一种SA-LIGBT，其特征在于，所述P型第一埋层(7)沿器件横向 方向的宽度大于P+阳极区(10)和N+阳极区(11)的宽度之和，且P型第一埋层(7)的侧边 与N型阱区(5)远离P型阱区(4)一侧的边界之间有间隙。

6.根据权利要3所述的一种SA-LIGBT，其特征在于，所述相邻P+阳极子区之间、相邻 N+阳极子区之间具有N型高阻区(12)。

7.根据权利要4所述的一种SA-LIGBT，其特征在于，所述相邻P+阳极子区之间、相邻 N+阳极子区之间、P型第一埋层(7)的上表面以及P型第一埋层(7)与N型阱区(5)远离P 型阱区(4)一侧的边界之间具有N型高阻区(12)。

8.根据权利要5所述的一种SA-LIGBT，其特征在于，所述相邻P+阳极子区之间、相邻 N+阳极子区之间、P型第一埋层(7)的上表面以及P型第一埋层(7)与N型阱区(5)远离P 型阱区(4)一侧的边界之间具有N型高阻区(12)。