[发明专利]一种基于二氧化硅薄膜的低功耗阻变存储器及其制备方法在审
申请号: | 201510933546.7 | 申请日: | 2015-12-15 |
公开(公告)号: | CN105552220A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 程海峰;刘东青;张朝阳;郑文伟 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00 |
代理公司: | 长沙朕扬知识产权代理事务所(普通合伙) 43213 | 代理人: | 杨斌 |
地址: | 410073 湖*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于二氧化硅薄膜的低功耗阻变存储器,由衬底、Ti粘附层、底电极、阻变层和顶电极依次叠加构成,阻变层为疏松结构的二氧化硅薄膜。该阻变存储器的制备包括以下步骤:在衬底上制备一层Ti粘附层;在Ti粘附层上制备Pt底电极;在Pt底电极上通过射频磁控溅射方法制备二氧化硅薄膜阻变层;其中射频磁控溅射的工艺条件为:以二氧化硅靶为溅射靶材,腔室压力小于5×10-6Torr,溅射温度、溅射压力、溅射功率、氩气流量和氧气的体积分数都进行适当控制,在阻变层上通过直流磁控溅射法制备点状金属Ag薄膜作为顶电极,即得到阻变存储器。本发明产品具有制备温度低、操作电压低的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 基于 二氧化硅 薄膜 功耗 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种基于二氧化硅薄膜的低功耗阻变存储器,由衬底、Ti粘附层、底电极、阻变层和顶电极依次叠加构成,其特征在于,所述阻变层为疏松结构的二氧化硅薄膜。
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