[发明专利]新型发光二极管外延片及其制备方法

摘要

本发明公开了一种新型发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管领域。该新型发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、P型AlGaN层和P型GaN载流子层，多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述GaN垒层包括依次覆盖在所述InGaN阱层上的第一GaN子层、第二GaN子层和第三GaN子层，所述第二GaN子层为生长过程中采用铟源进行表面处理的GaN子层。采用铟源处理生长的GaN相比于普通的GaN的晶格失配减小，同时垒结构的能带高度降低，使得注入多量子阱有源层中的空穴浓度明显增加，所以大大提高了电子和空穴在多量子阱有源层中的复合效率。

主权项

一种新型发光二极管外延片，所述新型发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、P型AlGaN层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；其特征在于，所述GaN垒层包括依次覆盖在所述InGaN阱层上的第一GaN子层、第二GaN子层和第三GaN子层，所述第二GaN子层为生长过程中采用铟源进行表面处理的GaN子层。