[发明专利]新型发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种新型发光二极管外延片，所述新型发光二极管外延片包括：衬底，以及依次覆盖在所述衬底上的u型GaN层、N型GaN层、多量子阱有源层、P型AlGaN层和P型GaN载流子层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层；

其特征在于，所述GaN垒层包括依次覆盖在所述InGaN阱层上的第一GaN子层、第二GaN子层和第三GaN子层，所述第二GaN子层为生长过程中采用铟源进行表面处理的GaN子层。

2.根据权利要求1所述的新型发光二极管外延片，其特征在于，所述第一GaN子层的厚度为d1，所述第二GaN子层的厚度为d2，所述第三GaN子层的厚度为d3，1nm≤d1≤2nm，4nm≤d2≤16nm，1nm≤d3≤2nm。

3.根据权利要求1或2所述的新型发光二极管外延片，其特征在于，所述第二GaN子层为生长过程中采用流量为F的铟源进行表面处理的GaN子层，10sccm≤F≤500sccm。

4.根据权利要求1或2所述的新型发光二极管外延片，其特征在于，所述第二GaN子层为在生长温度T下采用铟源进行表面处理的GaN子层，900℃≤T≤1000℃。

5.根据权利要求1或2所述的新型发光二极管外延片，其特征在于，所述InGaN阱层和GaN垒层的层数均为6。

6.一种新型发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上依次生长u型GaN层和N型GaN层；

在所述N型GaN层上生长多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括交替生长的多个InGaN阱层和多个GaN垒层，所述GaN垒层包括依次覆盖在所述InGaN阱层上的第一GaN子层、第二GaN子层和第三GaN子层，在所述第二GaN子层的生长过程中，采用铟源对所述第二GaN子层进行表面处理；

在所述P型GaN垒上依次生长P型AlGaN层和P型GaN载流子层。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述第一GaN子层的厚度为d1，所述第二GaN子层的厚度为d2，所述第三GaN子层的厚度为d3，1nm≤d1≤2nm，4nm≤d2≤16nm，1nm≤d3≤2nm。

8.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，在所述第二GaN子层生长过程中，采用流量为F的铟源进行表面处理，10sccm≤F≤500sccm。

9.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述第二GaN子层的生长温度为T，900℃≤T≤1000℃。

10.根据权利要求6或7所述的方法，其特征在于，所述InGaN阱层和GaN垒层的层数均为6。