[发明专利]压环及半导体加工设备在审
申请号: | 201510925349.0 | 申请日: | 2015-12-14 |
公开(公告)号: | CN106876316A | 公开(公告)日: | 2017-06-20 |
发明(设计)人: | 郭浩;赵梦欣;郑金果;侯珏;荣延栋 | 申请(专利权)人: | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,张天舒 |
地址: | 100176 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供的压环及半导体加工设备,其包括相互嵌套、且连为一体的外环部和内环部,其中,外环部的内径大于晶片的直径;在内环部的内径小于晶片的直径,且内环部的下表面被划分为多个第一区域和多个第二区域,第一区域和第二区域沿内环部的周向相间排布,其中,第一区域与晶片上表面的边缘区域相贴合;在第二区域形成有凹槽,以使内环部在该第二区域处遮挡晶片上表面的边缘区域,且不与之相接触。本发明提供的压环,其可以解决晶片的侧面或背面沉积有金属镀膜的问题,从而可以改善工艺结果。 | ||
搜索关键词: | 半导体 加工 设备 | ||
【主权项】:
一种压环,用于通过压住晶片上表面的边缘区域来固定所述晶片,其特征在于,包括相互嵌套、且连为一体的外环部和内环部,其中,所述外环部的内径大于所述晶片的直径;在所述内环部的内径小于所述晶片的直径,且所述内环部的下表面被划分为多个第一区域和多个第二区域,所述第一区域和第二区域沿所述内环部的周向相间排布,其中,所述第一区域与所述晶片上表面的边缘区域相贴合;在所述第二区域形成有凹槽,以使所述内环部在该第二区域处遮挡所述晶片上表面的边缘区域,且不与之相接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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