[发明专利]压环及半导体加工设备

权利要求书

1.一种压环，用于通过压住晶片上表面的边缘区域来固定所述晶片，其特征在于，包括相互嵌套、且连为一体的外环部和内环部，其中，

所述外环部的内径大于所述晶片的直径；

在所述内环部的内径小于所述晶片的直径，且所述内环部的下表面被划分为多个第一区域和多个第二区域，所述第一区域和第二区域沿所述内环部的周向相间排布，其中，

所述第一区域与所述晶片上表面的边缘区域相贴合；

在所述第二区域形成有凹槽，以使所述内环部在该第二区域处遮挡所述晶片上表面的边缘区域，且不与之相接触。

2.根据权利要求1所述的压环，其特征在于，所述内环部的尺寸遵循以下公式：

$\frac{a}{(D-d)\×0.5}\≤\frac{1}{7}$

其中，a为所述凹槽的底面和所述晶片的上表面之间的竖直间距；D为所述晶片的直径；d为所述内环部的内径。

3.根据权利要求2所述的压环，其特征在于，所述凹槽的底面和所述晶片的上表面之间的竖直间距为0.3mm。

4.根据权利要求2所述的压环，其特征在于，所述晶片的直径与所述内环部的内径的差值的二分之一等于1mm。

5.根据权利要求1-4任意一项所述的压环，其特征在于，在所述第一区域上，且靠近所述内环部的环孔的周边处形成有凹部，用以减少所述内环部与所述晶片上表面的接触面积。

6.一种压环，用于通过压住晶片上表面的边缘区域来固定所述晶片，其特征在于，包括相互嵌套、且连为一体的外环部和内环部，其中，

所述外环部的内径大于所述晶片的直径；

所述内环部的内径小于所述晶片的直径，且所述内环部的下表面压住所述晶片上表面的边缘区域。

7.根据权利要求6所述的压环，其特征在于，在所述内环部的下表面上，且靠近所述内环部的环孔的周边处形成有环形凹部，用以减少所述内环部与所述晶片上表面的接触面积。

8.一种半导体加工设备，包括工艺腔室，在所述工艺腔室内设置有用于承载晶片的基座以及压环，所述压环用于通过压住所述晶片上表面的边缘区域，来将所述晶片固定在所述基座上，其特征在于，所述压环采用权利要求1-5任意一项所述的压环；或者，采用权利要求6或7所述的压环。

9.根据权利要求8所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括物理气相沉积设备，所述物理气相沉积设备用于在所述晶片上表面沉积Cu薄膜、Ti薄膜、Al薄膜、AlN薄膜、TiN薄膜、ITO薄膜、AlCu₄薄膜或者TiW薄膜。

10.根据权利要求8所述的半导体加工设备，其特征在于，所述半导体加工设备包括刻蚀设备或者预清洗设备。