[发明专利]涂敷处理方法和涂敷处理装置有效
| 申请号: | 201510919166.8 | 申请日: | 2015-12-11 |
| 公开(公告)号: | CN105702604B | 公开(公告)日: | 2019-11-05 |
| 发明(设计)人: | 桥本崇史;畠山真一;柴田直树;吉原孝介;久保田稔;井手裕幸 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;邸万杰 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时,能够将涂敷液的供给量抑制为少量,并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。在晶片上涂敷涂敷液的方法,向晶片上供给涂敷液的溶剂,在该晶片的外周部环状地形成溶剂的液膜,使晶片以第一转速旋转,同时向晶片的中心部供给涂敷液(时间t1~t2),使晶片以比第一转速快的第二转速旋转,使涂敷液在基板上扩散(时间t4~t5)。直至涂敷液与溶剂的液膜接触前持续进行溶剂的供给(时间t0~t3)。 | ||
| 搜索关键词: | 处理 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种涂敷处理方法,其是在基板上涂敷涂敷液的方法,所述涂敷处理方法的特征在于,包括:通过基板保持部来保持基板并使该基板旋转的步骤;从溶剂供给喷嘴向基板上供给所述涂敷液的溶剂,在该基板的外周部环状地形成所述溶剂的液膜的溶剂液膜形成步骤;一边使基板以第一转速旋转,一边从涂敷液供给喷嘴向基板的中心部供给所述涂敷液的涂敷液供给步骤;和使所述基板以比所述第一转速快的第二转速旋转,使所述涂敷液在基板上扩散的涂敷液扩散步骤,在所述溶剂液膜形成步骤或者所述涂敷液扩散步骤中直至所述涂敷液与所述溶剂的液膜接触之前持续从所述溶剂供给喷嘴供给所述溶剂,在所述溶剂液膜形成步骤中,使所述基板以超过0rpm且为第一转速以下的转速旋转的状态下,使所述溶剂供给喷嘴位于基板的外周部,同时从该溶剂供给喷嘴供给所述溶剂,将所述溶剂的液膜形成为环状,在所述涂敷液扩散步骤开始前,向俯视时位于溶剂供给喷嘴与基板中心之间的位置吹送干燥气体,确保在所述溶剂的液膜与所述涂敷液之间具有间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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