[发明专利]涂敷处理方法和涂敷处理装置

说明书

本发明提供涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。在基板上涂敷涂敷液时，能够将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。在晶片上涂敷涂敷液的方法，向晶片上供给涂敷液的溶剂，在该晶片的外周部环状地形成溶剂的液膜，使晶片以第一转速旋转，同时向晶片的中心部供给涂敷液(时间t₁～t₂)，使晶片以比第一转速快的第二转速旋转，使涂敷液在基板上扩散(时间t₄～t₅)。直至涂敷液与溶剂的液膜接触前持续进行溶剂的供给(时间t₀～t₃)。

技术领域

本发明涉及在基板涂敷涂敷液的涂敷处理方法、计算机存储介质和涂敷处理装置。

背景技术

例如在半导体器件的制造工艺中的光刻步骤中依次进行：例如作为基板的半导体晶片(以下称为“晶片”)上涂敷规定的涂敷液，形成防反射膜和抗蚀剂膜这样的涂敷膜的涂敷处理；将抗蚀剂膜曝光为规定的图案的曝光处理；和对曝光后的抗蚀剂膜进行显影的显影处理等，在晶片上形成规定的抗蚀剂图案。

在上述的涂敷处理中，大多使用所谓的旋转涂敷法，即：从喷嘴对旋转中的晶片的中心部供给涂敷液，利用离心力在晶片上使涂敷液扩散，由此在晶片上形成涂敷膜。在这样的涂敷处理中，为了涂敷膜的面内均匀性和涂敷液的使用量削减，在供给涂敷液之前进行预湿润处理，即：在晶片上涂敷稀释剂等的溶剂来改善晶片的濡湿性。预湿润处理中的溶剂的涂敷也通过对晶片的中心部供给溶剂、使晶片旋转、使晶片上的溶剂扩散来进行。

但是，关于对晶片的中心部供给溶剂的方法，在晶片的中央部与外周部濡湿性的改善的程度容易不同，其结果是，难以使涂敷膜的面内均匀性在所希望的范围内。因此，提案有一边在预湿润处理中使晶片以低速旋转，一边在该晶片的中心部与外周部之间的位置供给溶剂，使溶剂在晶片上以环状扩散，之后，从晶片的中心部供给涂敷液的方法(专利文献1)。依据这样的方法，能够在晶片的中心部与外周部中使涂敷液对晶片的濡湿性均匀，能够在晶片上形成面内均匀的涂敷膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：特开2003-136010号公报

发明内容

发明想要解决的技术问题

但是，在半导体器件的制造工艺中，在晶片上形成涂敷膜的阶段中，在大多数情况下，在晶片上预先形成有基底膜。因此，在预湿润处理中使用的溶剂的对于基底膜的濡湿性(基底膜与溶剂的接触角)根据基底膜的种类而不同。并且，在溶剂对基底膜的濡湿性差的情况(基底膜与溶剂的接触角大的情况)下，即使对晶片的中心部与外周部之间的位置供给溶剂，也难以在晶片上将溶剂维持为环状。

具体而言，如图20所示，供给到晶片W的外周部的溶剂Q，由于表面张力而向晶片W的中心部移动，或者靠晶片W的中心部的溶剂由于离心力而向晶片W的外周方向移动而不均衡(偏于一方)。如此一来，因晶片W上的溶剂的不均衡，特别是在晶片W的外周部产生涂敷膜的膜厚分布不均衡的问题。

本发明是鉴于上述问题而完成的发明，目的在于提供当在基板上涂敷涂敷液时，将涂敷液的供给量抑制为少量，并且在基板面内均匀地涂敷涂敷液。

用于解决技术问题的技术方案

为了达成上述的目的，本发明为一种在基板上涂敷涂敷液的方法，该涂敷处理方法的特征在于，包括：向基板上供给上述涂敷液的溶剂，在该基板的外周部环状地形成上述溶剂的液膜的溶剂液膜形成步骤；一边使基板以第一转速旋转，一边将上述涂敷液供给到基板的中心部的涂敷液供给步骤；和使上述基板以比上述第一转速快的第二转速旋转，使上述涂敷液在基板上扩散的涂敷液扩散步骤，在上述溶剂液膜形成步骤或者上述涂敷液扩散步骤中直至上述涂敷液与上述溶剂的液膜接触之前持续进行上述溶剂的供给。