[发明专利]抗辐射加固的静态随机存取储存器

摘要

抗辐射加固的静态随机存取储存器，涉及抗辐射加固电路领域。本发明是为了解决现有的静态随机存取储存器对空间和自然辐射环境下的辐射粒子敏感，导致可靠性差的问题。本发明所述的由12个MOS管来组成，分别是PMOS晶体管P1、P2、P3、P4、P5、P6、P7和P8以及NMOS晶体管N1、N2、N3和N4。本发明可以对SRAM单元中任意单个节点的翻转进行加固，还可以对固定的两个节点进行抗多节点翻转容错，而同时不依赖于所存储的值。它用在集成电路设计中。

主权项

抗辐射加固的静态随机存取储存器，其特征在于，它包括一号PMOS晶体管P1、二号PMOS晶体管P2、三号PMOS晶体管P3、四号PMOS晶体管P4、存取晶体管、七号PMOS晶体管P7、八号PMOS晶体管P8、一号NMOS晶体管N1、二号NMOS晶体管N2、三号NMOS晶体管N3、四号NMOS晶体管N4、一号位线BLN、二号位线BL和字线WL，存取晶体管包括五号PMOS晶体管P5和六号PMOS晶体管P6，六号PMOS晶体管P6的漏极连接在二号位线BL上，六号PMOS晶体管P6的源极同时连接四号PMOS晶体管P4的漏极、二号PMOS晶体管P2的栅极、二号NMOS晶体管N2的栅极、三号PMOS晶体管P3的栅极和八号PMOS晶体管P8的源极，供电电源VDD同时连接四号PMOS晶体管P4的源极、二号PMOS晶体管P2的源极、三号PMOS晶体管P3的源极和一号PMOS晶体管P1的源极，四号PMOS晶体管P4的栅极同时连接四号NMOS晶体管N4的栅极、二号PMOS晶体管P2的漏极、一号PMOS晶体管P1的栅极、五号PMOS晶体管P5的源极和七号PMOS晶体管P7的源极，五号PMOS晶体管P5的栅极和六号PMOS晶体管P6的栅极均连接在字线WL上，五号PMOS晶体管P5的漏极连接在一号位线BLN上，八号PMOS晶体管P8的漏极连接四号NMOS晶体管N4的漏极，电源地同时连接四号NMOS晶体管N4的源极、三号NMOS晶体管N3的源极、一号NMOS晶体管N1的源极和二号NMOS晶体管N2的源极，二号NMOS晶体管N2的漏极连接七号PMOS晶体管P7的漏极，七号PMOS晶体管P7的栅极同时连接一号NMOS晶体管N1的栅极、三号PMOS晶体管P3的源极和三号NMOS晶体管N3的漏极，七号PMOS晶体管P7的栅极、三号NMOS晶体管N3的漏极和三号PMOS晶体管P3的漏极之间的线路节点为节点S0，八号PMOS晶体管P8的栅极同时连接三号NMOS晶体管N3的栅极、一号PMOS晶体管P1的漏极和一号NMOS晶体管N1的漏极，八号PMOS晶体管P8的栅极、一号PMOS晶体管P1的漏极和一号NMOS晶体管N1的漏极之间的线路节点为节点S1。