[发明专利]多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法在审
| 申请号： | 201510902664.1 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105470124A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 许涛;李琳松 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法，包括以下步骤：通过SEMVISON设备观测炉内多晶硅薄膜表面的鼓包数量；调整沉积温度，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时，再停止沉积温度的调整；调整磷烷和硅烷的气体流量比例，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时，再停止磷烷和硅烷的气体流量比例的调整；调整炉压，提升炉内压力，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时，再停止炉压的调整；记录停止调整后的沉积温度、磷烷和硅烷的气体流量比例和炉压的具体数据，作为最优化的参数进行多晶硅薄膜的生产。该方法不仅能满足多晶硅应力要求，还能使多晶硅薄膜表面鼓包情况调整至最低，改善表面粗糙度。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 表面 粗糙 调整 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)通过SEMVISON设备(扫描电子显微镜)观测炉内多晶硅薄膜表面的鼓包数量；(2)调整沉积温度，通过SEMVISON设备观测多晶硅薄膜表面的鼓包数量的变化情况，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时，再停止沉积温度的调整；(3)调整磷烷和硅烷的气体流量比例，通过SEMVISON设备观测多晶硅薄膜表面的鼓包数量的变化情况，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时，再停止磷烷和硅烷的气体流量比例的调整；(4)调整炉压，提升炉内压力，通过SEMVISON设备观测多晶硅薄膜表面的鼓包数量的变化情况，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时，再停止炉压的调整；(5)记录停止调整后的沉积温度、磷烷和硅烷的气体流量比例和炉压的具体数据，作为最优化的参数进行多晶硅薄膜的生产。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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