[发明专利]多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法在审
| 申请号： | 201510902664.1 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105470124A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 许涛;李琳松 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 表面 粗糙 调整 方法 | ||
1.一种多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)通过SEMVISON设备(扫描电子显微镜)观测炉内多晶硅薄膜表面 的鼓包数量；
(2)调整沉积温度，通过SEMVISON设备观测多晶硅薄膜表面的鼓包数 量的变化情况，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不变时，再停 止沉积温度的调整；
(3)调整磷烷和硅烷的气体流量比例，通过SEMVISON设备观测多晶硅 薄膜表面的鼓包数量的变化情况，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且 保持不变时，再停止磷烷和硅烷的气体流量比例的调整；
(4)调整炉压，提升炉内压力，通过SEMVISON设备观测多晶硅薄膜表 面的鼓包数量的变化情况，直到多晶硅薄膜表面的鼓包数量趋于最少且保持不 变时，再停止炉压的调整；
(5)记录停止调整后的沉积温度、磷烷和硅烷的气体流量比例和炉压的具 体数据，作为最优化的参数进行多晶硅薄膜的生产。
2.根据权利要求1所述的多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法，其特征在于： 步骤(1)中通过SEMVISON设备对多晶硅薄膜表面进行观测，并将观测结果 记录下来作为参照。
3.根据权利要求2所述的多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法，其特征在于： 步骤(2)中所述调整沉积温度的方式为：每次提升或降低炉内温度5℃，然后 通过SEMVISON设备观测并记录多晶硅薄膜表面的鼓包数量，若鼓包数量有下 降的趋势，则继续提升或降低炉内温度5℃，再观测，如此反复调整温度，直 到鼓包数量不在变化，若鼓包数量有上升的趋势，则反向调整温度，即降低或 提升炉内温度5℃，再进行观测，如此反复调整温度，直到鼓包数量不在变化。
4.根据权利要求3所述的多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法，其特征在于： 步骤(2)中所述的沉积温度的范围为590℃～620℃。
5.根据权利要求4所述的多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法，其特征在于： 步骤(3)中所述磷烷和硅烷的气体流量比例的范围为1:40～1:200。
6.根据权利要求5所述的多晶硅薄膜表面粗糙度的调整方法，其特征在于： 步骤(4)中所述的炉压调整范围为：170mt～350mt。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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