[发明专利]一种垂直磁化的磁电阻随机存储器有效
| 申请号： | 201510902602.0 | 申请日： | 2015-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN105552214B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李辉辉;徐庶;左正笏;韩谷昌;蒋信;刘瑞盛;孟皓;刘波 | 申请（专利权）人： | 中电海康集团有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08 |
| 代理公司： | 杭州之江专利事务所(普通合伙) 33216 | 代理人： | 张慧英 |
| 地址： | 311121 浙江省杭州市余*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及磁电阻随机存储器(MRAM)，尤其涉及一种利用电场辅助及磁畴漏磁场实现写操作的垂直磁化的磁电阻随机存储器，包括：磁性隧道结、非磁性的隔离层、磁纳米线，磁性隧道结和磁纳米线之间由非磁性的隔离层隔开，磁纳米线内含有磁畴，磁性隧道结包含有铁磁性的固定层、铁磁性的自由层以及两者之间非磁性的势垒层，且固定层、自由层和磁纳米线的磁化方向垂直于膜层，磁畴通过电流产生的扭矩发生平移使自由层的磁化方向发生反转。本发明的有益效果在于：利用与MTJ相邻的磁纳米线中的磁畴产生的漏磁场作为反转时所需的外磁场，降低MRAM写操作功耗，提高MRAM容量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 磁化 磁电 随机 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种垂直磁化的磁电阻随机存储器，其特征在于包括：磁性隧道结、非磁性的隔离层、磁纳米线，磁性隧道结和磁纳米线之间由非磁性的隔离层隔开，磁纳米线内含有磁畴，磁性隧道结包含有铁磁性的固定层、铁磁性的自由层以及两者之间非磁性的势垒层，且固定层、自由层和磁纳米线的磁化方向垂直于膜层，磁畴通过电流产生的扭矩发生平移使自由层的磁化方向发生反转。
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