[发明专利]金属等离子体源及应用在审
申请号: | 201510899888.1 | 申请日: | 2015-12-08 |
公开(公告)号: | CN105543791A | 公开(公告)日: | 2016-05-04 |
发明(设计)人: | 吴忠振;肖舒;崔岁寒;林海;潘锋 | 申请(专利权)人: | 北京大学深圳研究生院 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/46 |
代理公司: | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人: | 郭燕 |
地址: | 518055 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶、磁性元件和抑制磁性元件,外壳呈中空的圆柱筒状,磁控靶铺于外壳的中空内腔,不与外壳导通,磁性元件铺于磁控靶与外壳间,抑制磁性元件成对的安装于磁性元件的两端,与磁性元件端部极性相同。本申请的金属等离子体源,在磁性元件的两端安装抑制磁性元件,利用抑制磁性元件的磁场将磁性元件向外倾斜的磁力线推回,形成垂直于磁控靶的拱形磁场,从而减少电子逃逸,使更多电子约束在等离子体源内部,起到降低工作气压作用,达到提高靶材刻蚀均匀性、可控性以及束流密度的目的。同时,金属等离子体源内部电子浓度增加,也有效提高了材料的离化率及束流密度。 | ||
搜索关键词: | 金属 等离子体 应用 | ||
【主权项】:
一种金属等离子体源,包括外壳(11)、磁控靶(12)和磁性元件(13),所述外壳(11)呈中空的圆柱筒状,所述磁控靶(12)铺设于外壳(11)的中空的内腔中,且不与外壳(11)导通,所述磁性元件(13)铺设于磁控靶(12)与外壳(11)之间,其特征在于:还包括抑制磁性元件(14),所述抑制磁性元件(14)成对的安装于所述磁性元件(13)的两端,并且,抑制磁性元件(14)与磁性元件(13)端部极性相同。
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