[发明专利]金属等离子体源及应用在审

专利信息
申请号: 201510899888.1 申请日: 2015-12-08
公开(公告)号: CN105543791A 公开(公告)日: 2016-05-04
发明(设计)人: 吴忠振;肖舒;崔岁寒;林海;潘锋 申请(专利权)人: 北京大学深圳研究生院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/46
代理公司: 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 代理人: 郭燕
地址: 518055 广东省*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 本申请公开了一种金属等离子体源及其应用。本申请的金属等离子体源包括外壳、磁控靶、磁性元件和抑制磁性元件,外壳呈中空的圆柱筒状,磁控靶铺于外壳的中空内腔,不与外壳导通,磁性元件铺于磁控靶与外壳间,抑制磁性元件成对的安装于磁性元件的两端,与磁性元件端部极性相同。本申请的金属等离子体源,在磁性元件的两端安装抑制磁性元件,利用抑制磁性元件的磁场将磁性元件向外倾斜的磁力线推回,形成垂直于磁控靶的拱形磁场,从而减少电子逃逸,使更多电子约束在等离子体源内部,起到降低工作气压作用,达到提高靶材刻蚀均匀性、可控性以及束流密度的目的。同时,金属等离子体源内部电子浓度增加,也有效提高了材料的离化率及束流密度。
搜索关键词: 金属 等离子体 应用
【主权项】:
一种金属等离子体源,包括外壳(11)、磁控靶(12)和磁性元件(13),所述外壳(11)呈中空的圆柱筒状,所述磁控靶(12)铺设于外壳(11)的中空的内腔中,且不与外壳(11)导通,所述磁性元件(13)铺设于磁控靶(12)与外壳(11)之间,其特征在于:还包括抑制磁性元件(14),所述抑制磁性元件(14)成对的安装于所述磁性元件(13)的两端,并且,抑制磁性元件(14)与磁性元件(13)端部极性相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学深圳研究生院,未经北京大学深圳研究生院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510899888.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top