[发明专利]金属等离子体源及应用在审
| 申请号： | 201510899888.1 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105543791A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 吴忠振;肖舒;崔岁寒;林海;潘锋 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/46 |
| 代理公司： | 深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281 | 代理人： | 郭燕 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 金属 等离子体 应用 | ||
1.一种金属等离子体源，包括外壳(11)、磁控靶(12)和磁性元件(13)， 所述外壳(11)呈中空的圆柱筒状，所述磁控靶(12)铺设于外壳(11)的中 空的内腔中，且不与外壳(11)导通，所述磁性元件(13)铺设于磁控靶(12) 与外壳(11)之间，其特征在于：还包括抑制磁性元件(14)，所述抑制磁性元 件(14)成对的安装于所述磁性元件(13)的两端，并且，抑制磁性元件(14) 与磁性元件(13)端部极性相同。
2.根据权利要求1所述的金属等离子体源，其特征在于：所述抑制磁性元件 (14)为永久磁铁或电磁铁。
3.根据权利要求2所述的金属等离子体源，其特征在于：所述永久磁铁为钕 铁硼合金材料、铝镍钴系永磁合金、铁铬钴系永磁合金、铁氧体永磁合金、稀 土钴永磁材料或有机磁性材料。
4.根据权利要求1-3任一项所述的金属等离子体源，其特征在于：所述抑制 磁性元件(14)与所述磁性元件(13)的同向极性相同，且中心线重合。
5.根据权利要求1-3任一项所述的金属等离子体源，其特征在于：所述抑制 磁性元件(14)的端部场强范围是50-200mT。
6.根据权利要求1-3任一项所述的金属等离子体源，其特征在于：所述抑制 磁性元件(14)安装于所述外壳(11)内部或外部。
7.根据权利要求1-3任一项所述的金属等离子体源，其特征在于：还包括辅 助离化放电装置，用以增加溅射材料的离化率；所述辅助离化放电装置为射频 天线装置、电感耦合离化装置、电容耦合离化装置和微波装置中的至少一种。
8.一种采用权利要求1-7任一项所述的金属等离子体源的离子镀膜装置。
9.根据权利要求8所述的离子镀膜装置，其特征在于：所述金属等离子体源 的供电方式为高功率脉冲磁控溅射、直流磁控溅射、脉冲磁控溅射、射频磁控 溅射、中频磁控溅射以及复合脉冲磁控溅射中的至少一种。
10.一种采用权利要求1-7任一项所述的金属等离子体源的真空镀膜系统。
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