[发明专利]一种双波长LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201510897553.6 | 申请日： | 2015-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN105470356A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 冯猛;陈立人;刘恒山 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/24;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 杨林洁 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种所述双波长LED芯片，其从下向上依次包括：衬底；位于衬底上的N型半导体层；位于N型半导体层上的第一发光层；位于第一发光层上的第二发光层；位于第二发光层上的P型半导体层。与现有技术相比，本发明在具有线位错的N型半导体层上利用不同的生长工艺依次别生长第一发光层和第二发光层，第一发光层为第一InGaN/GaN量子阱层，第二发光层为第二InGaN/GaN量子阱层，第一InGaN/GaN量子阱层和第二InGaN/GaN量子阱层中的In的组分不同，使得双波长LED芯片受激发时能够发出两种不同波长的光，避免借助荧光粉之后引入的多种负面问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 波长 led 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种双波长LED芯片，其特征在于，所述双波长LED芯片从下向上依次包括：衬底；位于所述衬底上的N型半导体层；位于所述N型半导体层上的第一发光层；位于所述第一发光层上的第二发光层；位于所述第二发光层上的P型半导体层；其中，所述第一发光层为第一InGaN/GaN量子阱层，所述第二发光层为第二InGaN/GaN量子阱层，所述第一InGaN/GaN量子阱层和所述第二InGaN/GaN量子阱层中的In的组分不同，使得所述双波长LED芯片受激发时发出两种不同波长的光。
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