[发明专利]一种双波长LED芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种双波长LED芯片，其特征在于，所述双波长LED芯片从下向上依次包括：

衬底；

位于所述衬底上的N型半导体层；

位于所述N型半导体层上的第一发光层；

位于所述第一发光层上的第二发光层；

位于所述第二发光层上的P型半导体层；

其中，所述第一发光层为第一InGaN/GaN量子阱层，所述第二发光层为第二InGaN/GaN量子阱层，所述第一InGaN/GaN量子阱层和所述第二InGaN/GaN量子阱层中的In的组分不同，使得所述双波长LED芯片受激发时发出两种不同波长的光。

2.根据权利要求1所述的双波长LED芯片，其特征在于，所述N型半导体层具有线位错。

3.根据权利要求2所述的双波长LED芯片，其特征在于，所述第一发光层和所述第二发光层具有倒六角锥形的三维载流子传输结构，所述倒六角锥形的三维载流子传输结构作为电流传输通道将空穴分别注入到所述第一发光层和所述第二发光层中。

4.根据权利要求1所述的双波长LED芯片，其特征在于，所述第一InGaN/GaN量子阱层包括堆叠3~12个周期的2~3nmInGaN层和10~15nm的GaN层。

5.根据权利要求1所述的双波长LED芯片，其特征在于，所述第二InGaN/GaN量子阱层包括堆叠3~6个周期的2~3nmInGaN层和5~12nm的GaN层。

6.根据权利要求1所述的双波长LED芯片，其特征在于，在所述衬底和所述N型半导体层之间还设有非故意参杂半导体层。

7.一种双波长LED芯片的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

提供一衬底；

在衬底上生长N型半导体层；

在N型半导体层上生长第一发光层，所述第一发光层为第一InGaN/GaN量子阱层；

在第一发光层上生长第二发光层，所述第二发光层为第二InGaN/GaN量子阱层；

在第二发光层上生长P型半导体层；

制作P电极和N电极；

其中，所述第一InGaN/GaN量子阱层和所述第二InGaN/GaN量子阱层中的In的组分不同，使得所述双波长LED芯片受激发时发出两种不同波长的光。

8.根据权利要求7所述的双波长LED芯片的制备方法，其特征在于，所述LED芯片的制备方法还包括：

在步骤“在衬底上生长N型半导体”前在衬底上生长非故意参杂半导体层。

9.根据权利要求7所述的双波长LED芯片的制备方法，其特征在于，所述“在N型半导体上生长第一发光层”步骤具体为：

将温度控制在780~850℃生长10~15nm的GaN层，然后将温度控制在720~760℃生长2~3nm的InGaN量子阱层，重复上述两个步骤3~12个周期，形成第一InGaN/GaN量子阱层，其中，GaN层的生长速率为0.04~0.08nm/s。

10.根据权利要求7所述的双波长LED芯片的制备方法，其特征在于，所述“在第一发光层上生长第二发光层”步骤具体为：将温度控制在780~850℃生长5~12nm的GaN层，然后将温度控制在720~760℃生长2~3nm的InGaN量子阱层，重复上述两个步骤3~6个周期，形成第二InGaN/GaN量子阱层，其中，GaN层的生长速率为0.02~0.05nm/s。