[发明专利]CMOS器件的形成方法

摘要

一种CMOS器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有层间介质层，且位于第一区域的层间介质层内具有第一开口，位于第二区域的层间介质层内具有第二开口；在第一开口底部和侧壁表面、以及第二开口底部和侧壁表面形成栅介质层；在第一开口内填充满填充层；在第二开口内的栅介质层表面形成第一功函数层，第一功函数层还位于填充层表面；在第一功函数层表面形成填充满第二开口的第一栅电极层；去除填充层，暴露出第一开口内的栅介质层表面；在第一开口内的栅介质层表面形成第二功函数层；在第二功函数层表面形成填充满第一开口的第二栅电极层。本发明使得形成第二栅电极层工艺的填孔性能得到改善，进而提高形成的CMOS器件的性能。

主权项

一种CMOS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底包括第一区域和第二区域，且所述第一区域和第二区域的区域类型不同，所述基底表面形成有层间介质层，且位于第一区域的层间介质层内具有第一开口，所述第一开口暴露出第一区域部分基底表面，位于第二区域的层间介质层内具有第二开口，所述第二开口暴露出第二区域部分基底表面；在所述第一开口底部和侧壁表面、以及第二开口底部和侧壁表面形成栅介质层；在形成所述栅介质层之后，在所述第一开口内填充满填充层；在所述第二开口内的栅介质层表面形成第一功函数层，所述第一功函数层还位于填充层表面；在所述第一功函数层表面形成填充满所述第二开口的第一栅电极层；去除高于所述填充层表面的第一栅电极层以及第一功函数层；去除所述填充层，暴露出第一开口内的栅介质层表面；在所述第一开口内的栅介质层表面形成第二功函数层，所述第二功函数层还位于第一栅电极层表面，且所述第二功函数层与第一功函数层的材料功函数类型不同；在所述第二功函数层表面形成填充满第一开口的第二栅电极层；去除高于所述第一栅电极层的第二栅电极层以及第二功函数层。