[发明专利]一种集成多档位的压力传感器及其制造方法

摘要

本申请提供一种集成多档位的压力传感器及其制造方法，该压力传感器包括至少两个压力感测元件，其形成在基片中；至少两个基片材料膜，其形成在所述基片中，并且，所述基片材料膜与所述压力感测元件的位置对应；至少两个空腔，其形成在所述基片中，位于所述基片材料膜的下方；其中，在至少两个基片材料膜中，所述基片材料膜的厚度彼此不同。根据本申请，具有横跨各类应用的量程、精度的压力传感器能够被集成到单一的芯片上，在实际应用中，可以根据不同的需求对所使用的压力传感器进行切换和选择，因此，可以大幅降低产品开发和维护费用，使压力传感器具有更广阔的应用市场。

主权项

一种集成多档位的压力传感器的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：在基片中形成至少两组开孔，所述开孔具有第一深度；在所述开孔的侧壁和底部沉积保护层；刻蚀所述开孔的底部的保护层；对所述开孔的底部的基片材料进行再次刻蚀，以从所述开孔的底部起形成附加开孔，所述附加开孔具有第二深度；以及对于每组开孔，腐蚀掉该组开孔的各所述附加开孔之间的基片材料，形成空腔，以在所述空腔上方形成基片材料膜，所述基片材料膜的厚度与所述第一深度相同；其中，在同一组开孔中，各所述开孔的第一深度相同，在至少两组开孔中，不同组开孔的第一深度彼此不同。