[发明专利]一种集成多档位的压力传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种集成多档位的压力传感器的制造方法，其特征在于，该制造方法包括：

在基片中形成至少两组开孔，所述开孔具有第一深度；

在所述开孔的侧壁和底部沉积保护层；

刻蚀所述开孔的底部的保护层；

对所述开孔的底部的基片材料进行再次刻蚀，以从所述开孔的底部起形成附加开孔，所述附加开孔具有第二深度；以及

对于每组开孔，腐蚀掉该组开孔的各所述附加开孔之间的基片材料，形成空腔，以在所述空腔上方形成基片材料膜，所述基片材料膜的厚度与所述第一深度相同；

其中，

在同一组开孔中，各所述开孔的第一深度相同，

在至少两组开孔中，不同组开孔的第一深度彼此不同。

2.如权利要求1所述的集成多档位的压力传感器的制造方法，其特征在于：

在同一组开孔中，各所述开孔的横向尺寸相同，

在至少两组开孔中，不同组开孔的横向尺寸彼此不同。

3.如权利要求2所述的集成多档位的压力传感器的制造方法，其特征在于：

在形成至少两组所述开孔的步骤中，对各开孔刻蚀同时进行，并且刻蚀时间一样长。

4.如权利要求1所述的集成多档位的压力传感器的制造方法，其特征在于：

所述基片是(111)取向的硅基底，在所述基片的表面除所述开孔之外的位置都覆盖有掩膜层，

在形成所述空腔的步骤中，对所述附加开孔的侧壁进行湿法腐蚀，并且，所述掩膜层和所述保护层作为所述湿法腐蚀的掩膜。

5.如权利要求4所述的集成多档位的压力传感器的制造方法，其特征在于：

湿法腐蚀的溶液为氢氧化钾(KOH)，或者四甲基氢氧化铵(TMAH)。

6.如权利要求1所述的集成多档位的压力传感器的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：

在形成所述空腔之后，填充所述开孔以对所述开孔进行密封，并形成与所述压力 感测元件电连接的外围电路引线。

7.如权利要求1所述的集成多档位的压力传感器的制造方法，其特征在于，该制造方法还包括：

在所述基片中形成至少两个压力感测元件，用于测量所述空腔上方的所述基片材料膜的形变量，并输出与所述形变量对应的压力值。

8.一种集成多档位的压力传感器，其特征在于，该压力传感器包括：

至少两个压力感测元件，其形成在基片中；

至少两个基片材料膜，其形成在所述基片中，并且，所述基片材料膜与所述压力感测元件的位置对应；以及

至少两个空腔，其形成在所述基片中，位于所述基片材料膜的下方；

其中，

在至少两个基片材料膜中，所述基片材料膜的厚度彼此不同。

9.如权利要求8所述的集成多档位的压力传感器，其特征在于，

在至少两个空腔中，所述空腔的深度彼此不同。

10.如权利要求8所述的集成多档位的压力传感器，其特征在于，该压力传感器还包括：

外围电路引线，其与所述压力感测元件电连接。