[发明专利]TFT背板结构及其制作方法

摘要

本发明提供一种TFT背板结构及其制作方法。该TFT背板结构通过设置栅极绝缘层(4)对应于TFT(T)所在的区域为三层结构，自下至上依次为介电层(41)、氮化硅层(42)、与二氧化硅层(43)，能够增强TFT的可靠性；设置栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为双层结构，自下至上依次为介电层(41)、与至少部分氮化硅层(42)，或者所述栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为单层结构，仅包括介电层(41)，能够增大介电常数，减小存储电容(C)两电极板之间的距离，从而能够在保证存储电容性能的前提下，减少电容面积，提高开口率。

主权项

1.一种TFT背板结构，其特征在于，包括基板(1)、覆盖所述基板(1)的缓冲层(2)、设于所述缓冲层(2)上相互间隔开的多晶硅有源层(31)与多晶硅电极板(32)、覆盖所述多晶硅有源层(31)、多晶硅电极板(32)、与缓冲层(2)的栅极绝缘层(4)、于所述多晶硅有源层(31)上方设于栅极绝缘层(4)上的栅极(51)、于所述多晶硅电极板(32)上方设于栅极绝缘层(4)上的金属电极板(52)、覆盖所述栅极(51)、金属电极板(52)、与栅极绝缘层(4)的层间绝缘层(6)、及设于所述层间绝缘层(6)上的源极(71)与漏极(72)；所述多晶硅有源层(31)、栅极(51)、源极(71)、与漏极(72)构成TFT(T)，所述多晶硅电极板(32)与金属电极板(52)构成存储电容(C)；所述栅极绝缘层(4)对应于TFT(T)所在的区域为三层结构，自下至上依次为第一二氧化硅层、氮化硅层(42)、与第二二氧化硅层(43)，所述栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为双层结构，自下至上依次为第一二氧化硅层与至少部分氮化硅层(42)；或者所述栅极绝缘层(4)对应于TFT(T)所在的区域为三层结构，自下至上依次为介电层(41)、氮化硅层(42)与第二二氧化硅层(43)，所述栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为单层结构，仅包括介电层(41)，所述介电层(41)为三氧化二铝层、二氧化钛层、二氧化锆层或二氧化铪层。