[发明专利]TFT背板结构及其制作方法

权利要求书

1.一种TFT背板结构，其特征在于，包括基板(1)、覆盖所述基板(1)的缓冲层(2)、设于所述缓冲层(2)上相互间隔开的多晶硅有源层(31)与多晶硅电极板(32)、覆盖所述多晶硅有源层(31)、多晶硅电极板(32)、与缓冲层(2)的栅极绝缘层(4)、于所述多晶硅有源层(31)上方设于栅极绝缘层(4)上的栅极(51)、于所述多晶硅电极板(32)上方设于栅极绝缘层(4)上的金属电极板(52)、覆盖所述栅极(51)、金属电极板(52)、与栅极绝缘层(4)的层间绝缘层(6)、及设于所述层间绝缘层(6)上的源极(71)与漏极(72)；

所述多晶硅有源层(31)、栅极(51)、源极(71)、与漏极(72)构成TFT(T)，所述多晶硅电极板(32)与金属电极板(52)构成存储电容(C)；

所述栅极绝缘层(4)对应于TFT(T)所在的区域为三层结构，自下至上依次为第一二氧化硅层、氮化硅层(42)、与第二二氧化硅层(43)，所述栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为双层结构，自下至上依次为第一二氧化硅层与至少部分氮化硅层(42)；或者所述栅极绝缘层(4)对应于TFT(T)所在的区域为三层结构，自下至上依次为介电层(41)、氮化硅层(42)与第二二氧化硅层(43)，所述栅极绝缘层(4)对应于存储电容(C)所在的区域为单层结构，仅包括介电层(41)，所述介电层(41)为三氧化二铝层、二氧化钛层、二氧化锆层或二氧化铪层。

2.如权利要求1所述的TFT背板结构，其特征在于，所述多晶硅有源层(31)的两侧均植入掺杂离子，分别构成源极接触区(311)与漏极接触区(312)，所述源极接触区(311)与漏极接触区(312)之间构成沟道区(313)；所述源极(71)与漏极(72)分别经由贯穿层间绝缘层(6)和栅极绝缘层(4)的第一过孔(641)与第二过孔(642)接触所述源极接触区(311)与漏极接触区(312)。

3.如权利要求1或2所述的TFT背板结构，其特征在于，还包括覆盖所述源极(71)、漏极(72)、与层间绝缘层(6)的平坦层(8)、设于所述平坦层(8)上的像素电极(9)、设于所述像素电极(9)与平坦层(8)上的像素定义层(10)、及设于所述像素定义层(10)上的光阻间隔物(11)；

所述像素电极(9)经由贯穿所述平坦层(8)的第三过孔(81)接触所述漏极(72)。