[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201510875811.0 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106816414B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供基底，所述基底表面形成有多个间隔排布的鳍，所述多个间隔排布的鳍中每个鳍的顶部构成鳍的第一部，靠近基底的部分构成鳍的第二部；在所述基底表面、以及所述鳍的第二部的侧壁表面形成掺杂层，所述掺杂层内具有掺杂离子；进行第一退火，使所述掺杂层内的掺杂离子扩散入所述鳍的第二部内；在所述基底内形成深掺杂阱。本发明实施例通过将阱区离子注入置于第一退火驱动所述掺杂层内的掺杂离子向鳍的第二部内扩散的步骤之后，有效地避免了因第一退火所引起的阱区注入离子的扩散，进而导致阱区隔离效果不佳的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底表面形成有多个间隔排布的鳍，所述多个间隔排布的鳍中每个鳍的顶部构成鳍的第一部，靠近基底的部分构成鳍的第二部；在所述基底表面、以及所述鳍的第二部的侧壁表面形成掺杂层，所述掺杂层内具有掺杂离子；进行第一退火，使所述掺杂层内的掺杂离子扩散入所述鳍的第二部内；在所述基底内形成深掺杂阱。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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