[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201510875811.0 | 申请日： | 2015-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN106816414B | 公开（公告）日： | 2019-07-30 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 形成 方法 | ||
1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底表面形成有多个间隔排布的鳍，所述多个间隔排布的鳍中每个鳍的顶部构成鳍的第一部，靠近基底的部分构成鳍的第二部；
在所述基底表面、以及所述鳍的第二部的侧壁表面形成掺杂层，所述掺杂层内具有掺杂离子；
进行第一退火，使所述掺杂层内的掺杂离子扩散入所述鳍的第二部内；
在所述基底内形成深掺杂阱。
2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在进行第一退火之前，包括形成介质层，所述介质层覆盖所述掺杂层以及所述鳍的第一部的表面，所述介质层的高度高于所述鳍的第一部的顶部表面。
3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质层之后，进行第一退火之前，还包括：对所述介质层进行平坦化处理。
4.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在所述基底内形成深掺杂阱包括：
向覆盖有介质层的基底内注入深掺杂阱离子；
对深掺杂阱离子进行第二退火。
5.如权利要求4所述的形成方法，其特征在于，所述第二退火的退火温度范围为1000℃至1050℃，退火时间为10秒至20秒。
6.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料为可流动材料，包括含Si-H键、Si-N键以及Si-O键中的一种或多种聚合物的聚合体；形成所述介质层的方法包括采用流体化学气相沉积工艺；形成所述介质层的工艺温度为60℃至70℃。
7.如权利要求3或6所述的形成方法，其特征在于，形成所述介质层之后，对所述介质层进行平坦化处理之前，还包括：第三退火使所述介质层固化。
8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述第三退火的退火温度范围为300℃至600℃，退火时间范围为20分钟至40分钟。
9.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，进行第一退火之后，形成深掺杂阱之前，还包括第四退火，使所述介质层致密化及释放其压力。
10.如权利要求9所述的形成方法，其特征在于，所述第四退火的退火温度范围为800℃至950℃，退火时间范围为20分钟至40分钟。
11.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，在形成所述深掺杂阱之后，还包括去除所述介质层的一部分，使所述介质层的高度低于所述鳍的第一部的顶部表面。
12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述多个间隔排布的鳍包括：
提供衬底；
刻蚀所述衬底，形成鳍的第一部；
在所述鳍的第一部的侧壁表面形成侧墙；
以所述鳍的第一部及其侧墙为掩模，继续刻蚀所述衬底，形成鳍的第二部，剩余的衬底形成基底。
13.如权利要求12所述的形成方法，其特征在于，在刻蚀所述衬底之前，还包括在所述衬底表面形成图形化的掩模层，以所述图形化的掩模层为掩模刻蚀所述衬底，形成鳍的第一部及位于鳍的第一部的顶部表面的掩模层。
14.如权利要求13所述的形成方法，其特征在于，所述掩模层的材料为氮化硅。
15.如权利要求12所述的形成方法，其特征在于，所述侧墙的材料为氮化硅；所述侧墙的厚度为至
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
