[发明专利]CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法在审
| 申请号： | 201510836860.3 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105463379A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 刘爽;郭丽娜;谢翼骏;谭晓川;钟智勇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/26 | 分类号： | C23C14/26;C23C14/06;G01N23/04 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 | 代理人： | 敖欢;葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明提供一种CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，在可见光探测器件的硅表面上直接制备连续的CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：保护可见光探测器件、清洗可见光探测器件表面、利用真空热蒸镀方式在可见光探测器的硅感光表面上制备CsI:Tl薄膜闪烁屏、先在真空环境中静置后再存储于热风循环干燥箱内；本发明制备工艺简单、费用低廉，无需利用粘合剂粘合或透镜耦合等手段耦合闪烁薄膜和可见光探测器，直接在可见光探测器的硅感光表面制备CsI:Tl闪烁薄膜，不仅可以避免以上耦合手段带来的转换荧光的损耗，提高光产额，还减小了探测器设备的体积，对集成化X射线成像探测器的开发具有重要意义。 | ||
| 搜索关键词： | csi tl 闪烁 薄膜 直接 集成 可见光 探测器 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，其特征在于，在可见光探测器件的硅表面上直接制备连续的CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：(a)保护可见光探测器件：用保护膜将可见光探测器件的除硅感光面外的其他表面都粘贴严实；(b)清洗可见光探测器件表面：分别使用丙酮、无水乙醇和去离子水清洗可见光探测器的硅感光面，放入热风循环干燥箱内烘干备用；(c)利用真空热蒸镀方式在可见光探测器的硅感光表面上制备CsI:Tl薄膜闪烁屏：将备用的可见光探测器固定在镀膜机真空室的工件盘上，使探测器的硅感光面朝向蒸发源，并调整蒸发源到探测器硅感光面的间距，待真空室的真空度达预定值后，先在硅感光面上沉积一层CsI:Tl过渡层，对过渡层进行低温快速退火后，再继续CsI:Tl的蒸镀工艺，直至薄膜厚度达到预定值；进行低温快速退火时，退火温度为40～45℃，退火时间为60～90分钟；(d)CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备工艺完成后，先在真空环境中静置后再存储于热风循环干燥箱内。
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