[发明专利]CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法

权利要求书

1.一种CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，其特征在于，在可见光探测器件的硅表面上直接制备连续的CsI:Tl薄膜闪烁屏，包括以下步骤：

(a)保护可见光探测器件：用保护膜将可见光探测器件的除硅感光面外的其他表面都粘贴严实；

(b)清洗可见光探测器件表面：分别使用丙酮、无水乙醇和去离子水清洗可见光探测器的硅感光面，放入热风循环干燥箱内烘干备用；

(c)利用真空热蒸镀方式在可见光探测器的硅感光表面上制备CsI:Tl薄膜闪烁屏：将备用的可见光探测器固定在镀膜机真空室的工件盘上，使探测器的硅感光面朝向蒸发源，并调整蒸发源到探测器硅感光面的间距，待真空室的真空度达预定值后，先在硅感光面上沉积一层CsI:Tl过渡层，对过渡层进行低温快速退火后，再继续CsI:Tl的蒸镀工艺，直至薄膜厚度达到预定值；进行低温快速退火时，退火温度为40～45℃，退火时间为60～90分钟；

(d)CsI:Tl薄膜闪烁屏的制备工艺完成后，先在真空环境中静置后再存储于热风循环干燥箱内。

2.根据权利要求1所述的CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，其特征在于：步骤(a)中所述的保护膜为加成型聚酰亚胺薄膜，耐高温温度范围为300～380℃，在低于380℃时不留残胶。

3.根据权利要求1所述的CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，其特征在于：步骤(b)中，在热风循环干燥箱内烘干时，利用干燥箱的鼓风系统驱动箱内氮气循环形成稳定的氮气环境，所述烘干温度为25～30℃，所述鼓风系统功率为370W。

4.根据权利要求1所述的CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，其特征在于：步骤(c)中，蒸发源和工件盘的间距为10～15cm。

5.根据权利要求1所述的CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，其特征在于：所述的蒸发源选用钼舟。

6.根据权利要求1所述的CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，其特征在于：步骤(c)中，真空室的真空度的预定值为8.0×10-4Pa～1.0×10-3Pa。

7.根据权利要求1所述的CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，其特征在于：步骤(c)中，在薄膜沉积过程中，离子轰击电流为100～150mA，离子轰击时间为10～15分钟，工件盘转速为25～30转/分，蒸发电流为80～90mA。

8.根据权利要求1所述的CsI:Tl闪烁薄膜直接集成可见光探测器的方法，其特征在于：步骤(d)中，将薄膜在真空环境中静置8～10小时。