[发明专利]具有场电极的功率晶体管在审
| 申请号： | 201510830240.9 | 申请日： | 2015-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN105633164A | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | M.巴特尔斯;R.魏斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技德累斯顿有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/331;H01L29/739;H01L29/40;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;陈岚 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明涉及具有场电极的功率晶体管。公开的是半导体器件和用于产生半导体器件的方法。半导体器件包含至少两个晶体管单元。这些至少两个晶体管单元中的每个包含：半导体本体的半导体鳍中的漏极区、漂移区以及本体区；邻接本体区的源极区；邻近本体区并且通过栅极电介质与本体区电介质绝缘的栅极电极；以及通过场电极电介质与漂移区电介质绝缘并且被连接到源极区的场电极。场电极电介质被布置在半导体鳍与场电极之间的第一沟槽中。所述至少两个晶体管单元包含第一晶体管单元以及第二晶体管单元。第一晶体管单元的半导体鳍通过不同于第一沟槽的第二沟槽与第二晶体管单元的半导体鳍分离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 电极 功率 晶体管 | ||
【主权项】：
一种功率晶体管，包括至少两个晶体管单元，每个包括：在半导体本体的半导体鳍中的漏极区、漂移区以及本体区；邻接本体区的源极区；栅极电极，邻近本体区并且通过栅极电介质与本体区电介质绝缘；场电极，通过场电极电介质与漂移区电介质绝缘并且被连接到源极区，其中场电极电介质被布置在半导体鳍与场电极之间的第一沟槽中；其中所述至少两个晶体管单元包括第一晶体管单元以及第二晶体管单元，其中第一晶体管单元的半导体鳍通过不同于第一沟槽的第二沟槽与第二晶体管单元的半导体鳍分离。
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