[发明专利]半导体装置及其制作方法在审
| 申请号： | 201510828056.0 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105655399A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 青岛金智高新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 青岛申达知识产权代理有限公司 37243 | 代理人： | 蒋遥明 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其制作方法。半导体装置包括鳍状突起结构、绝缘结构、栅极结构、以及外延结构。鳍状突起结构延伸出基板的表面且具有一顶面以及二侧面。绝缘结构环绕鳍状突出结构。栅极结构包覆部分鳍状突起结构的顶面以及二侧面，以及覆盖部分绝缘结构。其中位于栅极结构下方的绝缘结构具有一第一顶面，位于栅极结构两侧的绝缘结构具有一第二顶面，且第一顶面与高于第二顶面。外延结构设置于栅极结构的一侧且直接接触鳍状突起。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：鳍状突起结构，延伸出于一基板的一表面，其中该鳍状突起结构具有一顶面以及二侧面；绝缘结构，环绕该鳍状突出结构；栅极结构，包覆部分该鳍状突起结构的该顶面以及该些侧面，以及覆盖部分该绝缘结构，其中位于该栅极结构下方的该绝缘结构具有一第一顶面，位于该栅极结构两侧的该绝缘结构具有一第二顶面，且该第一顶面与高于该第二顶面；以及外延结构，设置于该栅极结构的一侧，且直接接触该鳍状突起结构。
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