[发明专利]半导体装置及其制作方法在审
| 申请号： | 201510828056.0 | 申请日： | 2015-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN105655399A | 公开（公告）日： | 2016-06-08 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 青岛金智高新技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 青岛申达知识产权代理有限公司 37243 | 代理人： | 蒋遥明 |
| 地址： | 266000 山东省青岛市*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体装置，包括：鳍状突起结构，延伸出于一基板的一表面，其中
该鳍状突起结构具有一顶面以及二侧 面；
绝缘结构，环绕该鳍状突出结构；栅极结构，包覆部分该鳍状突起结构的该 顶面以及该些侧面，以及覆盖部分该绝缘结 构，其中位于该栅极结构下方的该绝缘结构具有一第一顶面，位于该栅极结构 两侧的该绝缘结构具有一第二顶面，且该第一顶面与高于该第二顶面；以及
外延结构，设置于该栅极结构的一侧，且直接接触该鳍状突起结构。
2.如权利要求1所述的半导体装置，其中该第一顶面与该第二顶面间的差值 介于100 埃至250埃之间。
3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该栅极结构为一金属栅极结构。
4.如权利要求1所述的半导体装置，其中位于该栅极结构下方的该绝缘结构 具有一侧壁，且该外延结构直接接触该侧壁。
5.如权利要求1所述的半导体装置，另包括一凹槽，形成于该鳍状突起结构的一 端，其中该外延结构会填满该凹槽。
6.如权利要求5所述的半导体装置，其中该外延结构的底面浅于该绝缘结构 的底面。
7.如权利要求6所述的半导体装置，其中该外延结构的底面与该绝缘结构的 底面间的 差值介于100埃至250埃之间。
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