[发明专利]与MOSFET集成的增强型耗尽积累/反转通道器件

摘要

本发明涉及一种与MOSFET集成的增强型耗尽积累/反转通道器件，包含：多个栅极沟槽形成在半导体衬底上方的一个第一导电类型的外延区中；一个或多个接触沟槽形成在外延区中，每个接触沟槽都在两个邻近的栅极沟槽之间；一个或多个第一导电类型的源极区形成在接触沟槽和栅极沟槽之间的外延区顶部；势垒金属形成在每个接触沟槽内；每个栅极沟槽都用导电材料基本填满，导电材料与沟槽壁被一层电介质材料隔开，形成栅极；一个导电类型与第一导电类型相反的重掺杂阱区，位于每个接触沟槽底部附近的外延区中。阱区和栅极沟槽之间的水平宽度约为0.05μm至0.2μm。

主权项

1.一种集成MOSFET的增强型耗尽积累/反转通道器件结构，其特征在于，包括：多个栅极沟槽，形成在第一导电类型的半导体衬底上方的第一导电类型的外延区中，每个栅极沟槽都用导电材料填满，导电材料与沟槽壁被一层电介质材料隔开，构成一个栅极；一个或多个接触沟槽，形成在外延区中，每个接触沟槽都位于两个邻近的栅极沟槽之间，其中一个与第一导电类型相反的第二导电类型的重掺杂阱区位于所述的一个或多个接触沟槽的底部附近，重掺杂阱区和栅极沟槽之间缝隙的水平宽度为0.05μm至0.2μm之间；一个或多个第一导电类型的重掺杂源极区，形成在外延区顶部，每个重掺杂源极区都在一个相应的接触沟槽和一个相应的栅极沟槽之间，且该重掺杂源极区通过外延区与重掺杂阱区隔离开；一个或多个第二导电类型的轻掺杂区，形成在外延区中；以及一个势垒金属，形成在没有重掺杂源极区的那部分外延区中的台面结构上方，其中台面结构形成在两个接触沟槽和两个第二导电类型的轻掺杂区之间。